ВУЗ:
Рубрика:
51
Ра 6
ких свойств границы
азде лупроводник
туре
свойств границы раздела
ая
к
ани нных
заключается в варьировании и
измерении
концентрации подвижных носителей заряда в приповерхностном слое
полупроводника. Метод вольт-фарадны аракте ван
на измерении концентрации носителей путем анализа изменения
величины емкости МДП-ст уктур. Полевой электрод, при приложении
нему ряжения создает электрическое поле,
ерпендикулярное поверхности полупроводника, и, тем самым,
управляет концентрацией подвижных носителей. Простейшая
бота №
Исследование электрофизичес
р ла диэлектрик - по
в МДП - струк
Цель работы
Изучение электрофизических
диэлектрик-полупроводник методом вольт-фарадных характеристик
(ВФХ).
Теоретическ часть
Исследование электронных процессов на поверхности
полупроводника, а также на границе
раздела диэлектрик – полупроводник
проводится методом ВФХ МДП-
структур (рис.6.1).
Свойства границы раздела
зависят как от состояния поверхности
а
1
полупроводник , так и от свойств
диэлектрика и определяются
следующими характеристиками:
диэлектрической проницаемостью и
толщиной диэлектри а, концентрацией
сновныо х носителей заряда в
полупроводнике, величиной суммарного заряда в диэлектрике и на
границе раздела диэлектрик - полупроводник, плотностью
поверхностных состояний на границе раздела и их распределением в
запрещенн е по ка. ой зон лупроводни
Исследов е электро явлений на поверхности
олупроводникап
х х ристик (ВФХ) осно
р
к электрического нап
п
2
Рис.6.1
М
Д
П
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 49
- 50
- 51
- 52
- 53
- …
- следующая ›
- последняя »
