Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 53 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

53
где
kT
q
Y
s
ϕ
= - нормализованный поверх остнын й потенциал (
s
ϕ
-
поверхностный потенциал,
q- заряд электрона, k- постоянная
Больцмана,
Т-температура );
i0
n
(
00
p,n - концентрация подвижных электронов и дырок в объеме
полупроводника соответственно,
собственная концентрация
0
p
- степень легирован
но
i
n
n
==
λ
ия
i
n -
2
1
подвижных сителей);
i
2
s
d
nq2
kT
L
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
=
εε
диэлектрическая проницаемость
0
- длина Дебая (
полупроводника,
s
ε
-
0
ε
-
диэлектрическая проницаемость вакуума)
Для пер от рассмот ен
необходимо для каждого значения
рассчитать емкость МДП-структур
.
ехода р ных зависимостей к ВФХ
поверхностного потенциала
ы по формуле (6.1) и напряжение из
условия уктуре: баланса потенциалов на МДП-стр
s
d
Q
U
ϕ
+= ,
s
C
(6.6)
вид й на
но
(кр
реальных МДП-структурах на
гра
пол
диэлектрике существуют различные
ие состояния и
электрические заряды, которые могут
влиять на ВФХ (рис.6.2, кривая
-б).
Эти состояния и заряды можно
классифицировать следующим образом
(рис.6.3):
где
s
Q рассчитывается по формуле (6.4).
Характерный теоретической ВФХ, построенно
ос вании (6.1)-(6.6) для полупроводника n-типа, показан на рис.6.2
ивая -а).
В
1
C/C
d
поверхности полупроводника, на
нице раздела диэлектрик-
упроводник, а также в самом
а
б
энергетическ
0
U
C
C
max
min
U
Рис.6.2

Страницы