Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 55 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

55
1
С
d
С
s
С
ss
R
ss
егд
()
2
Рис.4
⎟
⎟
⎞
⎜
⎛
−−
+
=
)
qEE
exp(g1
1
f
sfss
ϕ
(6.9)
⎠
-ф
упроводника). Влияние поверхностных
представить эквивалентную схему МДП-
о на рис.6.4. Произведение
езаряда поверхностных состояний в
от част
Поведение экспери ентальных
иями их
ить три
есных ВФХ, при котором
измерение емкости производят на
высокой частоте при медленно
широкое применение в
научной и производственной
практике, является мето
этих
⎜
⎝
kT
ункция Ферми- Дирака (
g- коэффициент спинового вырождения, E
Фе
f
-уровень рми в объеме пол
состояний можно учесть, если
структуры так, как показан
определяется как время пер
зависимости оты.
м
ВФХ определяется услов
измерений. Можно выдел
основных метода измерения:
-метод равнов
ssss
CR
•
меняющемся напряжении смещения
(рис.6.5, кривая 1);
• -низкочастотный метод, при котором
измерение емкости производят на
низкой частоте при медленно меняющемся
напряжении смещения (рис.6.5, кривая 2);
-кваз
Рис.6.4
• истатический метод, при котором емкость измеряется при
скачкообразном изменении напряжения на МДП-структуре (рис.6.5,
кривая 3).
Наиболее информативным,
позволяющим в одном
эксперименте
C/C
d
1,0
исследовать все
электрофизические свойства и
получившим наиболее
0,5
0,6
1
0,7
0,8
0,9
2
3
д
U
,B04 8
равновесных ВФХ. В
условиях заряд
Рис.6.5

Страницы