Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 56 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

56
еосновных носителей не успевает следовать за измерительным
сигналом и остается практически постоянным. При этом МДП-
структуру можно рассматривать в вид но
включенных конденсаторов. Поверхностные состояния тем не менее
искажают вид ВФХ, поскол часть индуцированного заряда успевает
сто
сдв
Полный заряд поверхностных состояний
для заданного
н
е двух последователь
ьку
захватиться на эти состояния.
Соответствующее искажение зависимости С(U) по сравнению
с идеальной
системой МДП, свободной от со яний и зарядов,
приводит к уменьшению наклона кривой С(U) (см. рис.6.2). Сравнивая
реальную С(U) - кривую с идеальной можно определить зависимость
ига
∆
U от напряжения смещения U.
ss
значения поверхностного потенциала определяется выражением
Q
UCQ
dss
∆
= . (6.10)
другой стороны, величина высокочастотной емкости
осредственно задает величину поверхностного потенциала, и в
ге имеем интегральную кривую
Y(Q
ss
. Плотность верхностных
ояний
ss
N может быть получена либо путем графического
ференцирования кривой
()
YQ
С
неп
ито
по
сост
диф
)
ss
U
ss
Q
1
N
⎟
⎞
⎜
⎛
∂
(6.11)
ss
Yq
⎠
⎝
=
∂
,
путем зависимости С(U)
.
На основе данного метода разработана методика и программа
чета основных х свойств границы раздела
диэлектрик-полупроводник. Данная методика сводится к следующему:
е есн т
МДП- структуры с известной площадью металлических электродов
S;
я максимальной
минимальной
C емкости МДП- структуры (см. рис.6.2);
вн ел
ту или иную марку полупроводниковых
материалов или эпитаксиального слоя с заданным номиналом
удельного сопротивления. Однак в процессе изготовления
либо дифференцирования
рас электрофизически
1) осуществляется измерени равнов ой C(U)-харак еристики
2) определяются экспериментальные значени
max
и C
min
3) определяется толщина диэлектрика и концентрация легирующей
примеси. Концентрация осно ых носит ей обычно бывает
известна, если используют
о

Страницы