Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 57 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

57
полупроводниковы приборов и элементов интегральных схем
кон и
1)
х
центрация носителей заряда в полупроводн ковой подложке
может изменяться.
Таким образом, последовательность расчета основных
электрофизических свойств границы раздела диэлектрик–
полупроводник следующая:
max
d
C
d
0
εε
= , - толщина диэлектрика;
2)
dmin
C
ε
smax
m
d
)1
C
(W
ε
−=
ширина ОПЗ;
3) концентрация носителей заряда
находится методом
, -
N
последовательных приближений из уравнения
kT4
m
N
n
N
s
0
i
εε
=
.
4) определяется ширина запрещенной зоны по оводника для
заданной температуры с помощью аппроксимирующей
универсальной функции
TEE
0
qW
)ln(
2
2
лупр
α
∆
∆
−
=
,
где
0
E
∆
- ширина запрещенной зоны при Т=0К, эВ,
α
- температурный
коэффи измененияциент ширины за рещенной зоны, ля кремния п д
α
=2,8·10
-4
эВ/К. Разность работ выхода электронов из металла и
полупроводника рассчитывается по формуле
)
2
m
bms
χϕ
++−= ,
где
m
E
(
ϕ
∆
ϕ∆
ϕ
- абота выхода металла, эВ, р
χ
- родство электрон В, с к у, э
)
kTln±=
ϕ
- объемн
i
n
(
ый потенциал, равный разности потенциалов
Ферми
b
N
между ровнями примесного и полупроводников,
причем т
роводника p-типа. На практике
у собственного
знак “минус” имеет место для полупроводника n- ипа, а знак
“плюс” - для полуп
ms
ϕ
∆
- не равна 0,
что пр дит к сдвигу ВФХ вдоль оси напряжений на величину,
необходимую для компенс нергетических зон из-за
иво
ации искривления э

Страницы