Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 58 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

58
разност работ выхода. Поэтому величину и
ms
ϕ
∆
необходимо
уч
5) ся плотность быстрых поверхностных состояний путем
выполнения следующи
-построить нормированную ВФХ, разделив измеренные
ВФХ с
зн
величину
по
итывать при сравнении экспериментальной и идеальной ВФХ.
определяет
х операций:
значения емкости на емкость диэлектрика;
-сопоставить экспериментальную нормированную
теоретически рассчитанной ВФХ идеальной структуры с аналогичным
ачением концентрации основных носителей и толщины диэлектрика;
-для каждого
значения емкости определить
верхностного потенциала
s
ϕ
и величину смещения U
∆
, равного
зности ра напряжений, соответствующих емкости реальной
идеальной
-построить зависимость заряда от поверхностного потенциала
Э
U и
T
U структур;
)(fUCQ
sdss
ϕ
∆
== , где
msT
UUU
ϕ
∆
∆
−−=
Э
;
-определить плотность быстрых состояний на ед
интервал энергии:
иничный
s
ss
s
dqS
1
(N
ss
ϕ
= , ед.эл зар./(В⋅см
dQ
)
ϕ
.
2
).
Ла
1. иментальные зависимости емкости от напряжения
2.
компьютерной программы основные электрофизические
Контроль е
вопросы
1. Перечислить основные электрофизические свойства границы
раздела диэлектрик-полупроводник.
. Что такое поверхностные состояния и какова их природа?
. Объяснить сущность метода равновесных ВФХ.
При изучении данной темы рекомендуется литература [2,4,12].
бораторное задание
Снять экспер
С(U) для предложенных преподавателем МДП-структур.
Используя полученные экспериментальные данные, рассчитать с
помощью
параметры границы раздела диэлектрик-полупроводник для
заданных МДП-структур. Сравнить полученные результаты, сделать
выводы.
ны
2
3

Страницы