ВУЗ:
Рубрика:
54
Металл
Na
Na
Na
Na
Диэлектрик Полупроводник
) поверхностные состояния (состояния на границе раздела),
спо
1
собные обмениваться зарядом с полупроводником в течение
короткого времени (
) – быстрые поверхностные состояния;
2) ионизируемые ловушки, которые могут возникать, например, при
радиационном облучении – медленные поверхностные состояния
(
);
) фик3 сированные поверхностные заряды, которые лок
поверхности полупроводника (около 200 A) и не
ализуются
вблизи способны
перемещаться под действием приложенного электрического поля
(
);
4) подвижные ионы,
действием
термообработки при
изменении ия
смещения (
например ионы натрия,
способные
перемещаться
в диэлектрике под
напряжен
Рис.6.3
Na
).
Природа поверхностных состояний обусловлена дефектами
кристаллической структуры полупроводника, а также на границе
аздела диэлектрик-полупроводник. Для уменьшения дефектности
ие
р
применяют различного рода обработки (температурные, химическ ,
электрические и др.) полупроводниковой подложки.
По определению емкость поверхностных состояний:
s
ss
ss
d
dQ
C
ϕ
= . (6.7)
Заряд на поверхностных состояниях
Q
оп
запо , которая дчиняется с ист
моноэнергетического вня с эне гией
поверхностной плотностью
N
ределяется вероятностью их
лнения по тат ике Ферми-Дирака и для
уро р
в запрещенной зоне и
:
(6.8)
ss
ss
E
ss
fqNQ
ss
=
,
равен
ss
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 52
- 53
- 54
- 55
- 56
- …
- следующая ›
- последняя »
