Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 52 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

52
эквивалентная схема, представляющая емкость идеальной МДП-
структуры, состоит из последовательно ой
емкости слоя диэлектрика и емкости поверхностной области
ол пр ед и он
сителей
ю
труктуру, у которой на поверхности полупроводника отсутствуют
поверхностные состояния, диэлектрик идеален, разность работ выхода
электронов из полупроводника и металла
Емкость идеальной МДП-структуры определяется
го соединения геометрическ
п у оводника, в пр елах которой зменяется к центрация
но заряда.
Под идеальной МДП-структурой будем подразумевать таку
с
равна нулю.
соотношением
sd
sd
CC
CC
C
+
=
, (6.1)
где
емкость диэлектрика
d
C -
d
C
d0
d
εε
= (6.2)
(
d
ε
- диэлектрическая проницаемость диэлектрика, d-толщина
диэлектрика),
емкость области пространственного заряда (ОПЗ)
s
C -
s
s
d
dQ
C
ϕ
= . (6.3)
З
s
Q - заряд в ОПЗ
s
десь
[]
2
1
1Y1Y
dis
Y)()1e()1e(Lqn2
Y
Таким обра ,
s
C с учетом (3) ет равно
Y
Q
−−−
−+−+−−=
λλλλ
,(6.4)
зом
буд
[
]
[]
2
1
Y)
1
()1
Y
e(
1
)1
Y
e(L2
)e1(
1
)
Y
e1(
s
C
d
s0
−
−+−
−
+−
−
−
−
−
−
−
=
λλλλ
λλεε
, (6.5)
Y

Страницы