ВУЗ:
Рубрика:
8
Таким образом, одновременное измерение холловской
разности потенциалов и электропроводности полупроводника
позволяет определить как концентрацию носителей заряда, так и их
подвижность.
Используя известное из классической теории
электропроводности соотношение
*
2
m
nq
τ
σ
= ,
а также формулы (1.4) и (1.9), можно получить выражение для времени
релаксации:
q
m
*
µτ
= (1.11)
и по известным значениям эффективной массы (табл.1.1) определить
эту величину.
Таблица 1.1
m
*
Ge Si GaAs
Электроны 0,22 m
0
0,33 m
0
0,072 m
0
Дырки 0,31 m
0
0,56 m
0
0,50 m
0
m
0
=9,1⋅10
-31
кг-
масса покоя электрона
По знаку ЭДС Холла можно судить о знаке носителей заряда в
исследуемом образце. Знак этот положительный, если j, В и E
H
образуют правовинтовую систему координат. При показанных на
рис.1.1 направлениях
j и В знак у ЭДС Холла условились считать
отрицательным, а тип проводимости - электронным. Если же тип
проводимости дырочный, то сила Лоренца будет отклонять к грани 4
дырки, в результате эта грань приобретет положительный заряд, а
грань 3 - отрицательный и ЭДС Холла будет положительной.
Эффект Холла - один из наиболее эффективных методов
изучения энергетических спектров носителей
зарядов в металлах и
полупроводниках. Кроме того, широкое применение этот эффект нашел
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »
