Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

7
aEU
HH
=
;
(1.6)
ajbI
=
,
где
I - величина тока, протекающего через образец; а - ширина
пластинки;
b - толщина пластинки.
С учетом рассматриваемой (см. рис.1.1) ориентации векторов
уравнение (1.3) примет вид
RBjE
H
=
. (1.7)
Решая совместно систему уравнений (1.6) и (1.7), получаем
b
IB
RU
H
= , (1.8)
откуда следует, что холловская разность потенциалов пропорциональна
как величине тока, так и индукции магнитного поля. Отметим, что в
достаточно сильных магнитных полях зависимость
)B(U становится
нелинейной.
H
Рассматриваемая теория остается справедливой и для
полупроводников в том случае, когда вкладом в электропроводность
одного из видов носителей заряда (электронов или дырок) можно
пренебречь. Коэффициент Холла может быть выражен в этом случае
через подвижность носителей заряда простым соотношением
σ
µ
=R , (1.9)
где
µ
- подвижность носителей; G - удельная электропроводность.
Для измерения удельной электропроводности
полупроводникового образца длиной
l обычно через него пропускают
ток
I известной величины и измеряют падение напряжения U на его
концах. Тогда электропроводность
bU
lI
a
=
σ
. (1.10)

Страницы