ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
53
k a
S+G –G k
Y
c
=
–S–G G a .
Для схемы с общим анодом в неопределенной матрице Y
0
вычеркиваем строку а и столбец а:
c k
0 0 c
Y
a
=
–S S+G k .
В этом случае расположение строк и столбцов с и к соответствует
входу и выходу схемы рис.2.12,в.
2. Обратимся к схемам включения биполярных транзисторов,
рис.2.13. В отличие от предыдущего примера здесь следует учесть, что для
описания транзисторов обычно применяют системы Н– и Z – параметров, и
это естественно приводит к появлению еще одного этапа преобразования–
перехода к системе Y – параметров.
К примеру, матрицу Z – параметров схемы с общим эмиттером:
б к
R
э
+R
б
R
э
б
Z
э
=
R
э
–aR
к
R
э
+(1–
a)R
к
к ,
где R
э
, R
к
, R
б
– сопротивления эмиттера, коллектора, базы, соответственно,
а – коэффициент передачи тока.
Перейдем к матрице Y – параметров той же системы:
б к
R aR
Z
э к
+
−
( )1
∆
−
R
Z
э
∆
б
Y
э
=
−
−
R aR
Z
э к
∆
R R
Z
э б
+
∆
к ,
k a
S+G –G k
Yc= –S–G G a .
Для схемы с общим анодом в неопределенной матрице Y0
вычеркиваем строку а и столбец а:
c k
0 0 c
Ya= –S S+G k .
В этом случае расположение строк и столбцов с и к соответствует
входу и выходу схемы рис.2.12,в.
2. Обратимся к схемам включения биполярных транзисторов,
рис.2.13. В отличие от предыдущего примера здесь следует учесть, что для
описания транзисторов обычно применяют системы Н– и Z – параметров, и
это естественно приводит к появлению еще одного этапа преобразования–
перехода к системе Y – параметров.
К примеру, матрицу Z – параметров схемы с общим эмиттером:
б к
Rэ+Rб Rэ б
Zэ= Rэ –aRк Rэ+(1– к ,
a)Rк
где Rэ, Rк, Rб – сопротивления эмиттера, коллектора, базы, соответственно,
а – коэффициент передачи тока.
Перейдем к матрице Y – параметров той же системы:
б к
Rэ + (1 − a ) Rк R б
− э
∆Z ∆Z
Yэ= R − aRк Rэ + Rб к ,
− э
∆Z ∆Z
53
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 29
- 30
- 31
- 32
- 33
- …
- следующая ›
- последняя »
