Анализ линейных активных цепей. Герасимова Г.Н - 31 стр.

UptoLike

Рубрика: 

53
k a
S+G G k
Y
c
=
–S–G G a .
Для схемы с общим анодом в неопределенной матрице Y
0
вычеркиваем строку а и столбец а:
c k
0 0 c
Y
a
=
–S S+G k .
В этом случае расположение строк и столбцов с и к соответствует
входу и выходу схемы рис.2.12,в.
2. Обратимся к схемам включения биполярных транзисторов,
рис.2.13. В отличие от предыдущего примера здесь следует учесть, что для
описания транзисторов обычно применяют системы Н и Z параметров, и
это естественно приводит к появлению еще одного этапа преобразования
перехода к системе Y параметров.
К примеру, матрицу Z параметров схемы с общим эмиттером:
б к
R
э
+R
б
R
э
б
Z
э
=
R
э
–aR
к
R
э
+(1–
a)R
к
к ,
где R
э
, R
к
, R
б
сопротивления эмиттера, коллектора, базы, соответственно,
а коэффициент передачи тока.
Перейдем к матрице Y параметров той же системы:
б к
R aR
Z
э к
+
( )1
R
Z
э
б
Y
э
=
R aR
Z
э к
R R
Z
э б
+
к ,
                                     k         a
                                 S+G          –G       k
                        Yc=     –S–G           G       a         .


     Для схемы с общим анодом в неопределенной матрице Y0
вычеркиваем строку а и столбец а:
                                     c         k
                                     0         0       c
                        Ya=       –S          S+G      k         .


     В этом случае расположение строк и столбцов с и к соответствует
входу и выходу схемы рис.2.12,в.
     2. Обратимся к схемам включения биполярных транзисторов,
рис.2.13. В отличие от предыдущего примера здесь следует учесть, что для
описания транзисторов обычно применяют системы Н– и Z – параметров, и
это естественно приводит к появлению еще одного этапа преобразования–
перехода к системе Y – параметров.
     К примеру, матрицу Z – параметров схемы с общим эмиттером:
                                 б                 к
                              Rэ+Rб             Rэ           б
                     Zэ=      Rэ –aRк         Rэ+(1–         к       ,
                                               a)Rк


где Rэ, Rк, Rб – сопротивления эмиттера, коллектора, базы, соответственно,
     а – коэффициент передачи тока.
     Перейдем к матрице Y – параметров той же системы:
                                  б                   к
                           Rэ + (1 − a ) Rк           R                  б
                                                    − э
                                 ∆Z                   ∆Z
                  Yэ=          R − aRк             Rэ + Rб               к   ,
                            − э
                                  ∆Z                 ∆Z
                                         53