ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
54
где ∆Z=R
э
R
к
+R
э
R
б
+(1–a)R
б
R
к
.
Неопределенную матрицу Y – параметров биполярного транзистора
получаем в виде:
б к э
R aR
Z
э к
+
−
( )1
∆
−
R
Z
э
∆
−
−
( )1 aR
Z
к
∆
б
Y
0
=
−
−
R aR
Z
э к
∆
R R
Z
э б
+
∆
−
+
R aR
Z
б к
∆
к
R
Z
к
∆
−
R
Z
б
∆
−
+
R R
Z
к б
∆
э
.
Из нее матрицу Y – параметров для схемы с общей базой:
э к
R R
Z
б к
+
∆
−
R
Z
б
∆
э
Y
б
=
−
+
R aR
Z
б к
∆
R R
Z
э б
+
∆
к .
При ее построении учтено, что входной электрод – эмиттер,
выходной – коллектор.
Теперь при необходимости для схемы с общей базой можно
получить набор Z – параметров:
э к
R
э
+ R
б
R
б
э
Z
б
=
R
б
+аR
к
R
к
+ R
б
к .
или Н – параметров
э к
R
э
+(1–а)
RR
R R
б к
б к
+
R
R R
б
к б
+
э
H
б
=
−
+
+
R aR
R R
б к
б к
1
R R
к б
+
к .
где ∆Z=RэRк+RэRб+(1–a)RбRк. Неопределенную матрицу Y – параметров биполярного транзистора получаем в виде: б к э Rэ + (1 − a ) Rк R (1 − a ) Rк б − э − ∆Z ∆Z ∆Z Y0= R − aRк Rэ + Rб R + aRк к − э − б ∆Z ∆Z ∆Z Rк R − Rк + Rб э − б ∆Z ∆Z ∆Z . Из нее матрицу Y – параметров для схемы с общей базой: э к Rб + Rк R э − б ∆Z ∆Z Yб= R + aRк Rэ + Rб к . − б ∆Z ∆Z При ее построении учтено, что входной электрод – эмиттер, выходной – коллектор. Теперь при необходимости для схемы с общей базой можно получить набор Z – параметров: э к Rэ+ Rб Rб э Zб= Rб+аRк Rк+ Rб к . или Н – параметров э к Rб Rк Rб э Rэ+(1–а) Rб + Rк Rк + Rб Hб= R + aRк 1 к . − б Rб + Rк Rк + Rб 54
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 30
- 31
- 32
- 33
- 34
- …
- следующая ›
- последняя »