Физические основы электроники. Глазачев А.В - 118 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций
118
2. Фотодиоды обладают линейной световой характеристикой.
3. Фототранзисторы имеют большую интегральную чувствительность, чем фотодиоды, благо-
даря усилению фототока.
4. Оптроны – оптоэлектронные приборы, в которых обеспечивается электрическая изоляция
входных и выходных цепей.
5. Фотоумножители позволяют резко увеличить фототок за счёт применения вторичной элек-
тронной эмиссии.
Контрольные вопросы
1. Что такое внешний и внутренний фотоэффект?
2. Какими параметрами характеризуется фоторезистор?
3. Какие физические факторы влияют на световую характеристику фоторезистора при больших
световых потоках?
4. Каковы отличия в свойствах фотодиода и фоторезистора?
5. Как в фотоэлементе происходит непосредственное преобразование световой энергии в элек-
трическую?
6. Каковы отличия в принципе действия и свойствах фотодиода и биполярного фототранзисто-
ра?
7. Почему тиристор может управлять относительно большими мощностями, чем допустимая
мощность рассеяния самого фототиристора?
8. Что такое оптопара?
ПРИЛОЖЕНИЕ. КЛАССИФИКАЦИЯ И ОБОЗНАЧЕНИЯ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Для унификации обозначений и стандартизации параметров полупроводниковых приборов ис-
пользуется система условных обозначений. Эта система классифицирует полупроводниковые прибо-
ры по их назначению, основным физическим и электрическим параметрам, конструктивно-
технологическим свойствам, виду полупроводниковых материалов. Система условных обозначений
отечественных полупроводниковых приборов базируется на государственных и отраслевых стандар-
тах. Первый ГОСТ на систему обозначений полупроводниковых приборов – ГОСТ 10862–64 был
введен в 1964 году. Затем по мере возникновения новых классификационных групп приборов был
изменен на ГОСТ 10862–72, а затем на отраслевой стандарт ОСТ 11.336.038–77 и ОСТ 11.336.919–81.
При этой модификации основные элементы буквенно-цифрового кода системы условных обозначе-
ний сохранились. Данная система обозначений логически выстроена и позволяет дополнять себя по
мере дальнейшего развития элементной базы.
Основные термины, определения и буквенные обозначения основных и справочных параметров
полупроводниковых приборов приведены в ГОСТах:
§ 25529–82 – Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения па-
раметров.
§ 19095–73 – Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения парамет-
ров.
§ 20003–74 – Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения пара-
метров.
§ 20332–84 – Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.
1. Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов
Система обозначений полупроводниковых приборов по ОСТ 11.336.919–81 «Приборы полу-
проводниковые. Система условных обозначений», которая состоит из 5 элементов. В основу системы
обозначения положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент. Первый элемент (буква или цифра) обозначает исходный полупроводниковый
материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор. Для приборов общегражданского
применения используются буквы Г, К, А и И, являющиеся начальными буквами в названии полупро-
водникового материала. Для приборов специального применения (более высокие требования при ис-
пытаниях, например выше температура) вместо этих букв используются цифры от 1 до 4. В табл. П.1
приведены обозначения для первого элемента.

Страницы