Физические основы электроники. Глазачев А.В - 120 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций
120
Назначение прибора
Условные
обозначения
более 10 (более 100)
симметричные:
менее 0,3 (менее 15)
5
0,3 ... 10 (15 ... 100)
6
)
9
Диоды туннельные и обращенные:
усилительные
1
генераторные
2
переключательные
3
обращенные
4
Варикапы:
подстрочные
1
умножительные (в
а
ракторы)
2
Стабилитроны, стабисторы и ограничители, с напряжением стабилизации, В:
мощностью менее 0,3 Вт:
менее 10
1
10…100
2
более 100
3
мощностью 0,3…5 Вт:
менее 10
4
10…100
5
более 100
6
мощностью 5…10 Вт
менее 10
7
10…100
8
более 100
9
Транзисторы биполярные:
маломощные с рассеиваемой мощностью не более Вт3,0 :
низкой част
о
ты
(граничная частота F
гр
<3 МГц)
1
средней част
о
ты (F
гр
=3…30 МГц)
2
высокой и сверхвысокой ча
с
тот
(более 30 МГц)
3
средней мощности ( Вт5,13,0 K ):
низкой частоты ( F
гр
<3 МГц)
4
средней частоты (F
гр
=3…30 МГц)
5
высокой и сверхвысокой ча
с
тот
(более 30 МГц)
6
большой мощности (более Вт5,1
>
):
низкой частоты ( F
гр
<3 МГц)
7
средней частоты (F
гр
=3…30 МГц)
8
высокой и сверхвысокой ча
с
тот
(более 30 МГц)
9
Транзисторы полевые:
малой мощности не более Вт3,0 :
низкой частоты ( F
гр
<3 МГц)
1
средней частоты (F
гр
=3…30 МГц)
2
высокой и сверхвысокой ча
с
тот
(более 30 МГц)
3
средней мощности ( Вт5,13,0 K ):
низкой частоты ( F
гр
<3 МГц)
4

Страницы