Физические основы электроники. Глазачев А.В - 119 стр.

UptoLike

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций
119
Таблица П.1
Исходный материал Условные обозначения
Германий Г или 1
Кремний К или 2
Соединения галлия (например арсенид галлия) А или 3
Соединения индия (например фосфид индия) И или 4
Второй элемент. Второй элементбуква, обозначает подкласс полупроводниковых приборов.
Обычно буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия (табл. П.2)
Таблица П.2
Подкласс приборов
Условные обозначения
Диоды выпрямительные, универсальны
е, импуль
с
ные
Д
Транзисторы биполя
р
Т
Транзисторы пол
е
вые
П
Варикапы
В
Тиристоры дио
д
ные
Н
Тиристоры трио
д
ные
У
Туннельные ди
о
ды
И
Стабилитроны
С
Сверхвысокочастотные ди
о
ды
А
Излучающие оптоэлектронные приб
о
ры
Л
Оптопары
О
Третий элемент. Третий элементцифра, в обозначении полупроводниковых приборов, опре-
деляет основные функциональные возможности прибора. У различных подклассов приборов наибо-
лее характерные эксплуатационные параметры различные. Например, для транзисторовэто рабочая
частота и рассеиваемая мощность, для выпрямительных диодовмаксимальное значение прямого
тока, для стабилитроновнапряжение стабилизации и рассеиваемая мощность, для тиристоров
значение тока в открытом состоянии. В табл. П.3 приведены значения цифр в третьем элементе ус-
ловных обозначений для различного класса полупроводниковых приборов.
Таблица П.3
Назначение прибора
Условные
обозначения
Диоды выпрямительные, с прямым током, А:
менее 0,3
1
0,3…10
2
Диоды прочие (магнитодиоды, термоди
о
ды и др.)
3
Диоды импульсные, с временем восстановления, нс:
более 500
4
150…500
5
30…150
6
5…30
7
1…5
8
с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда м
е
нее 1 нс
9
Триодные тиристоры с максимально допустимым средним током
в открытом состоянии (или импульсным), А
незапираемые:
менее 0,3 (менее 15)
1
0,3…10 (15…100)
2
более 10 (более 100)
7
запираемые:
менее 0,3 (менее 15)
0,3…10 (15…100)