Схемотехника аналоговых интегральных схем. Глинкин Е.И. - 27 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

27
Специальные вентили [1] используют разнообразные эффекты фи-
зики полупроводников. К специальным полупроводниковым приборам
относятся туннельные и СВЧ-диоды, лавинно-пролетные и диоды Ган-
на, приборы с гетерогенными переходами и однопереходные транзи-
сторы, фото- и светодиоды, оптроны и знакоиндикаторы.
К достоинствам полупроводниковых вентилей относятся высокая
технологичность и надежность, малые габариты и вес, низкие энерго-
потребление и стоимость. Недостатки вентилей обусловлены полупро-
водниковыми эффектами с нелинейным обменом энергии и неста-
бильным преобразованием сигнала.
2.3. Транзисторы
Транзисторы [1, 19] реализуют функцию усиления посредством
изменения энергии основных носителей заряда в полупроводнике при
управлении маломощным сигналом неосновных носителей. Электро-
проводностью транзистора, включенного последовательно с нагрузкой
в цепь источника энергии, управляют через поле или обратный ток
p–n-перехода. В зависимости от физики управления переходом транзи-
сторы делят на два класса: униполярные (полевые) и биполярные (то-
ковые) [1, 2].
Транзистор (от англ. transfer – переносить и resistor – сопротивле-
ние) – полупроводниковый прибор с тремя или более выводами, пред-
назначенный для усиления и генерирования электрического сигнала,
управления и коммутации энергии постоянного и переменного тока.
Униполярные [1, 13] транзисторы используют подвижные заряды
одной полярности (электроны или дырки). В основе принципа их рабо-
ты лежит изменение проводимости слоя полупроводника, заключенно-
го между двумя контактами источника энергии, посредством электри-
ческого поля, создаваемого напряжением входного сигнала. Управ-
ляющим электродом (затвором) могут служить p–n-переход и структу-
ра «металл-диэлектрик-полупроводник» (рис. 2.5, а). Источник энер-
гии подключают к полевому каналу полупроводника через электроды
«исток» и «сток».
Биполярные транзисторы [1, 2] конструируют на кристалле полупро-
водника с тремя чередующимися областями электронного (n – негатив)
или дырочного (p – позитив) типов электрической проводимости, разде-
ленными двумя электронно-дырочными p–n-переходами (рис. 2.5, б).

Страницы