ВУЗ:
Составители:
28
Источник энергии подключают в прямом направлении к p–n-переходу
для эмиссии основных носителей заряда, называемому «эмиттер», и в
инверсном направлении к другому p–n-переходу, собирающему эмит-
терный ток и называемому «коллектор». Током основных носителей
заряда эмиттера и коллектора управляют в промежуточной между ни-
ми области – базе, изменяя ее электропроводимость (ток неосновных
носителей заряда для базы) от генератора входного сигнала.
Рис. 2.5. Схемы и конструкции транзисторов:
а – униполярного; б – биполярного
Транзисторы отличаются высокой экономичностью потребления
энергии, прочностью и долговечностью. Основными их недостатками
являются нестабильность обмена энергии из-за наличия температурно-
го, параметрического и временного дрейфа.
2.4. Параметры транзистора
Качество преобразования аналогового сигнала определяют пара-
метры транзистора [1, 2, 11] на постоянном и переменном токе при
различных схемах включения [1]. Основными параметрами транзисто-
ра служат коэффициенты усиления по току K
I
, напряжению K
U
и мощ-
ности K
P
, а также входное R
вх
и выходное R
вых
сопротивления. Пара-
метры транзистора зависят от его схемы включения как четырехпо-
люсника [1, 2], представляемого структурой «черного ящика» с двумя
связями по входу и выходу для подключения соответственно генератора
R
n p n
+
+
+
∼
+
+
–
R
U
вх
I
б
I
к
I
э
–
+
+
–
∼
И
С
б)
а)
З
З
n
p
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- …
- следующая ›
- последняя »
