Схемотехника аналоговых интегральных схем. Глинкин Е.И. - 30 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

30
Параметр h
U
I
m
m
11
=
1
1
определяет входное сопротивление R
вх
четырех-
полюсника (рис. 2.6, а), а h
I
U
m
m
22
=
2
2
– проводимость Y
вых
=
R
вых
−1
на его
выходе. Коэффициентами усиления по току K
I
служит параметр
h
I
I
m
m
12
=
2
1
и по напряжению K
U
– параметр
h
U
U
m
m
21
1
2
1
−
= . Параметры
справедливы только для малых амплитуд на низкой частоте, для
которых значение мгновенного сигнала U = U
m
sinω
t принимается рав-
ным амплитуде U
m
. В зависимости от схем включения транзистора
(см. рис. 2.6) параметры принимают различные значения, которые свя-
заны между собой коэффициентами усиления по току K
I
= {α, β, γ},
соответствующими схемами ОБ, ОЭ и ОК (см. табл. 2.1).
Для схемы ОБ (рис. 2.6, б) математическая модель (2.1) прини-
мает вид:
+=
+=
,
,
бк22э21к
бк12э11бэ
UhIhI
UhIhU
(2.2)
причем h
11
= R
α
– входное, а
∗
α
−
Rh
=
1
22
– выходное сопротивления тран-
зистора; h
21
= α,
α
−
= Kh
1
12
– коэффициенты усиления по току и напря-
жению [1, 2, 16].
Схеме ОЭ (рис. 2.6, в) из модели (2.1) соответствует система
уравнений:
U h I h U
I h I h U
бэ б кэ
к б кэ
= +
= +
11 12
21 22
,
,
(2.3)
где h
11
= R
β
,
∗
β
−
Rh =
1
22
являются входным и выходным сопротивления-
ми, а коэффициенты усиления по току и напряжению определяются
параметрами β = h
11
и K
β
=
1
12
−
h
.
Для схемы ОК (рис. 2.6, г) выражение (2.1) преобразуется к виду:
U h I h U
I h I h U
бк б кэ
э б кэ
= +
= +
11 12
21 22
,
,
(2.4)
так как U
m1
= U
бк
и I
m1
= I
б
на входе транзистора, а на его выходе
U
m2
= U
кэ
и I
m2
= I
э
. При этом параметры h
11
= R
γ
,
*1
22
=
γ
−
Rh
служат
входным и выходным сопротивлениями, а коэффициенты h
21
= γ и
γ
−
= Kh
1
12
определяют усиление по току и напряжению [1, 2, 16].

Страницы