Схемотехника аналоговых интегральных схем. Глинкин Е.И. - 32 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

32
Зависимости между коэффициентами усиления по току α, β, γ
схем ОБ, ОЭ и ОК несложно выразить из условия физики работы тран-
зистора по схеме с общей базой. На открытом p–n-переходе за счет
прямого включения источника входного питания формируется эмиссия
тока – ток эмиттера I
э
. Через закрытый переход из базы, за счет обрат-
ного включения выходного источника питания, протекает ток коллек-
тора I
к
из эмиссии I
э
, небольшая часть которого рекомбинирует в базе,
организуя ток I
б
. Из схемы ОБ (рис. 2.5, б) следует, что ток в коллекто-
ре состоит из тока эмиттера без учета тока базы, т.е.
I
э
= I
к
+ I
б
. (2.5)
Соотношение (2.5) позволяет выразить из алгоритмов (2.2 – 2.4)
зависимости между коэффициентами h
21
. Например, для схемы ОБ из
условия (2.5) следует
α = =
+
<
I
I
I
I I
к
э
к
к б
1.
Поделив числитель и знаменатель на ток базы I
б
, с учетом соотноше-
ния β =
I
I
к
б
находим:
α
β
β
=
+ 1
. (2.6)
Учитывая, что I
э
> I
к
за счет рекомбинации носителей заряда в
ток I
б
базы, причем α ≤ 1 принимает значения 0,9…0,999, видно, что
β = 9…999, так как из (2.6) следует
β
α
α
=
−1
. (2.7)
Выражение (2.7) можно также найти из схемы ОЭ (рис. 2.6, в) по парамет-
ру β модели (2.3) и соотношению I
б
= I
э
– I
к
, следующему из (2.5):
β = =
−
I
I
I
I I
к
б
к
э к
(2.8)
после деления числителя и знаменателя на значение тока I
э
эмиттера.
Раскрывая в формуле (2.8) ток коллектора из соотношения (2.5),
т.е. I
к
= I
э
– I
б
, видим, что
β =
−
= −
I I
I
I
I
э б
б
э
б
1,

Страницы