Схемотехника аналоговых интегральных схем. Глинкин Е.И. - 33 стр.

UptoLike

Составители: 

33
а так как отношение токов эмиттера и базы является коэффициентом γ
усиления по току схемы ОК, находим зависимость
β = γ – 1. (2.9)
Из выражения (2.9), а также по модели (2.4) с учетом соотношения
(2.5) следует обратная зависимость между параметрами γ и β:
γ = β + 1. (2.10)
По аналогии можно определить взаимосвязь между статическими
коэффициентами усиления по току γ и α для схем включения транзи-
стора ОК и ОБ. Это следует, например, из математической модели
(2.4) для параметра γ:
γ = =
I
I
I
I I
э
б
э
э к
.
Поделив числитель и знаменатель на значение тока I
э
, с учетом соот-
ношения
I
I
к
э
= α , получим в результате
γ
α
=
1
1
. (2.11)
Из соотношений (2.10) и (2.11) для известных параметров α и β видно,
что в схеме ОК усиление по току на единицу больше β, т.е. γ = 10…10
3
.
Анализ полученных выражений показывает, что
α << β < γ ,
т.е. минимальное значение α < 1 для схемы ОБ, максимальное соотно-
шение γ = 10…10
3
и на единицу меньше β = 9…999 при включении
транзистора по схеме ОК и ОЭ.
Оценить количественно статические коэффициенты по напряже-
нию для различных схем включения позволяет анализ физики работы
транзистора с общим коллектором. При заземлении коллектора
(рис. 2.6, г) входное напряжение U
бк
между базой и коллектором рас-
пределяется на открытом p–n-переходе база-эмиттер U
бэ
и высоко-
омном сопротивлении коллектор-эмиттер, нагруженным на сопро-
тивление потребителя сигнала с амплитудой U
кэ
. За счет организован-
ного таким образом делителя напряжения амплитуда на нагрузке
U
кэ
= U
бк
U
бэ
, т.е. U
кэ
< U
бк
, причем U
кэ
>> U
бэ
или по другому:
сумма напряжений на транзисторе определяется амплитудой входного
сигнала
U
бк
= U
бэ
+ U
кэ
. (2.12)