Схемотехника аналоговых интегральных схем. Глинкин Е.И. - 35 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

35
В схеме ОЭ подтверждается равенство анализируемых парамет-
ров по току и напряжению
K
β
= β, (2.16б)
которое можно объяснить принципом симметрии инверсных схем
включения ОБ и ОК как делителей тока и напряжения.
Инверсная симметрия статических коэффициентов по току h
21
и
напряжению
1
12
−
h
( табл. 2.1) показывает, что
K
γ
<< K
β
< K
α
,
т.е. минимальное значение K
γ
< 1 для схемы ОК, максимальное соот-
ношение K
α
= 10…10
3
и на единицу меньше K
β
= 9…999 для схем ОБ и
ОЭ транзистора.
Зависимости между входными h
11
= R
вх
и выходными
1
22
−
h
= R
вых
сопротивлениями транзистора для различных схем включения ОБ, ОЭ,
ОК можно выявить из отношений соответствующих токов I
m
и напря-
жений U
m
, а также из соотношений значений сопротивлений между
собой.
Например, поделив значение сопротивления R
β
=
h
11
схемы ОЭ на
выражение сопротивления R
α
=
h
11
схемы ОБ, находим зависимость
R
β
= γ
R
α
,
так как
R
R
U I
I U
β
α
γ= =
бэ э
б бэ
,
где γ =
I
I
э
б
– усиление по току схемы ОК.
Аналогично, из отношения выходных сопротивлений
R h
β
∗ −
=
22
1
,
R h
γ
∗ −
=
22
1
включения транзистора по схеме ОЭ и ОК, получим зависи-
мость
R
R
β
γ
α
∗
∗
= ,
так как
R
R
U I
I U
β
γ
α
∗
∗
= =
кэ э
к кэ
1
,
где
α
−
=
1
I
I
э
к
– усиление по току схемы ОБ.

Страницы