Схемотехника аналоговых интегральных схем. Глинкин Е.И. - 37 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

37
Для выходных сопротивлений
h
22
1−
справедливо неравенство
R
R
R R R
γ
γ
β α α
α
α
∗
∗
∗ ∗ ∗
≤ = = ≤ ,
(2.19)
а значения сопротивлений на выходе транзистора для различных схем
включения отличаются между собой незначительно и регламентирова-
ны диапазоном изменения сопротивления схемы ОЭ 10
2
– 10
4
Ом
(табл. 2.1).
Интегральным значением h-параметров служит коэффициент K
Р
усиления по мощности, определяемый произведением коэффициентов
усиления по току K
I
и напряжению K
U
. Из асимметрии схем включения
транзистора следует, что максимальный коэффициент мощности
K
Рβ
= βK
β
= β
2
характерен для схемы ОЭ, составляет значение 10
2
– 10
6
, а схемы ОБ и
ОК обладают равными значениями коэффициентов K
Рα
= αK
α
= αγ = β,
K
Рγ
= γ K
γ
= γα = β и ограничены диапазоном 10 – 10
3
усиления схемы ОЭ.
Свойства транзистора также характеризует фаза ϕ между входным
U
m1
и преобразуемым U
m2
амплитудами сигнала. Анализ работы тран-
зистора методом делителя напряжения (гл. 3.1) показывает инверсию
сигнала в схеме ОЭ, отражаемую знаком «минус» перед статической
характеристикой. Для схемы ОЭ фаза ϕ = 180°, а реализованные на их
базе преобразователи называют инверторами. Схемы на транзисторах,
включенных с общими базой и коллектором не изменяют фазу ϕ = 0
сигнала и служат соответственно повторителями тока (схема ОБ) и
напряжения (схема ОК).
Сопоставительный анализ h-параметров транзистора при различ-
ных схемах включения показывает:
− схема с общим эмиттером является инвертором сигнала, a схе-
мы с общими базой и коллектором служат повторителями тока и на-
пряжения;
− свойства транзистора асимметричны для схем с общими базой
и коллектором относительно схемы с общим эмиттером;
− параметры транзистора являются гранями неделимого ком-
плекса и регламентированы между собой для различных схем вклю-
чения.

Страницы