ВУЗ:
Составители:
36
Значения входного
R
β
и выходного
R
β
∗
сопротивлений схемы
транзистора ОЭ можно определить из выражений:
R
U
I
R
U
I
β β
= =
∗
бэ
б
кэ
к
, ,
а их взаимосвязь
R R
β
β
=
∗
(2.17)
находят в процессе деления
R
R
U
I
I
U
β
β
β
β
∗
= = =
бэ
б
к
кэ
1,
так как отношения токов
I
I
к
б
= β
и напряжений
U
U
K
кэ
бэ
= =
β
β
равны
между собой.
Равенство (2.17) можно подтвердить из выражения K
U
U
β
β= =
кэ
бэ
для коэффициента усиления по напряжению транзистора схемы ОЭ:
U
U
I R
I R
R
R
кэ
бэ
к
б
= =
∗ ∗
β
β
β
β
β ,
так как выходное напряжение (рис. 2.6, в)
U
кэ
определяется сопротив-
лением
R
β
∗
коллектор-эмиттер и током коллектора
I
к
, а входное на-
пряжение
U
бэ
вызвано током
I
б
базы на сопротивлении
R
β
базы-
эмиттер транзистора.
Аналогичные вычисления позволяют выявить соотношения между
заданными h-параметрами для различных схем включения транзистора,
эти зависимости читателю предлагается определить самостоятельно и
проверить адекватность решений, систематизированных в табл. 2.1.
Анализ табл. 2.1 показывает, что по входу транзистора минимальное
сопротивление
R
α
= 1…100 Ом и максимальное –
R
γ
= 10
3
…10
7
Ом соот-
ветствует инверсным схемам ОБ и ОК, а им симметричная схема ОЭ
имеет промежуточное значение
R
β
= 100…10 000 Ом, т.е.
R
α
<< γ
R
α
=
R
β
=
R
γ
γ
<< R
γ
. (2.18)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- …
- следующая ›
- последняя »
