Схемотехника аналоговых интегральных схем. Глинкин Е.И. - 29 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

29
сигнала и нагрузки. Один из входов транзистора: база (б), эмиттер (э)
или коллектор (к) – является общим для входных и выходных соеди-
нений структуры, поэтому различают три схемы включения транзисто-
ра: с общими базой (ОБ), эмиттером (ОЭ) и коллектором (ОК). Прове-
дем анализ вторичных параметров на переменном токе для основных
схем включения транзистора на примере моделирования h-параметров.
Математическая модель Н (рис. 2.6, а) транзистора [1] на низкой
частоте ω → 0 связывает между собой значения амплитуд напряжения
U
m1
и тока I
m1
входного сигнала U = U
m
sinωt c выходным сигналом
напряжением U
m2
и током I
m2
:
U
I
H
I
U
m
m
m
m
1
2
1
2
= , (2.1)
где
H
– вектор комплекса параметров
H
=
h h
h h
11 12
21 22
.
Рис. 2.6. Схемы включения транзистора:
а – структура четырехполюсника; б – с общей базой;
в – с общим эмиттером; г – с общим коллектором
H
h h
h h
=
11 12
21 22
U
m1
I
m1
U
m2
I
m2
a)
U
бэ
I
э
U
бк
I
к
б)
U
бк
I
б
U
кэ
I
э
г)
U
бэ
I
б
U
кэ
I
к
в)

Страницы