Практическое руководство к лабораторным работам по коллоидной химии. Горбачук В.В - 51 стр.

        Поверхностная энергия и поверхностное натяжение
                    на границах раздела фаз

      Молекулы на границах раздела фаз не полностью окружены
другими молекулами того же вида по сравнению с соответствующими
молекулами в объеме фазы, поэтому поверхность раздела фаз в
межфазном поверхностном слое всегда является источником силового
поля.    Результат    этого   явления     -   нескомпенсированность
межмолекулярных сил и наличие внутреннего или молекулярного
давления. Для увеличения площади поверхности необходимо вывести
молекулы из объемной фазы в поверхностный слой, совершив работу
против межмолекулярных сил. Если процесс обратим и проходит в изо-
термических условиях, то затраченная работа равна увеличению
свободной поверхностной энергии на границе раздела фаз по сравнению
с энергией в объеме.
      Приращение свободной поверхностной энергии при увеличении
поверхности на 1 см2 представляет собой удельную свободную энергию и
обозначается символом σ. Величину σ называют также поверхностным
натяжением и рассматривают как силу, стягивающую поверхность.

     Влияние температуры на поверхностное натяжение чистых
                          жидкостей

        Многочисленные исследования показывают, что для чистых
жидкостей, граничащих с собственным паром, наблюдается линейное
падение поверхностного натяжения с температурой (рис. 1, кривая 1),
т.е. -(dσ/dT) = const.
        Из термодинамики известно, что - (dF/dT) = - S (S-энтропия), а
значит - (dσ/dT)V есть не что иное, как поверхностная энтропия или
избыточная энтропия поверхностного слоя η, т.е. η = - (dσ/dT).
Поверхностная энтропия является положительной и постоянной
величиной вплоть до критической температуры (dη/dT) = 0 (рис. 1,
кривая 2).
        Избыточная полная энергия поверхностного слоя ε, равная по
уравнению Гиббса-Гельмгольца

                   ε = σ - T (dσ/dT)V ,         (1)
               ε            3
также остается постоянной (рис. 1, кривая 3).
              σ
              η             2

                            1


                                          Tкр