ВУЗ:
Составители:
99
Часть 2. Технические средства автоматики
Глава 7. Элементная база устройств автоматики
7.1. Элементная база автоматики
Рассмотренные выше регуляторы и другие элементы САР
реализуются специальными устройствами на электронных, элек-
тромеханических и иных элементах. В данном разделе рассмат-
ривается электронная элементная база устройств автоматики.
Современные электронные устройства выполняются в основ-
ном на базе полупроводниковых приборов: дискретных элемен-
тов - диодов, транзисторов-микросхем, стабилитронов, тиристо-
ров и т.д. и в интегральном исполнении.
Основой большинства полупроводниковых приборов являет-
ся электронно-дырочный р - n переход, возникающий на границе
раздела двух полупроводников с разными типами электропро-
водности. Вольт - амперная характеристика р -n перехода пред-
ставлена на рис.7.1.
Рисунок 7.1 – Вольт - амперная
характеристика р -n перехода.
P-n переходы изготавли-
ваются из кремния, герма-
ния с добавками различных
материалов (индий, галлий,
селен и других), которые
придают им необходимые
свойства.
Полупроводниковым диодом называется прибор с одним
электронно-дырочным p-n переходом и двумя выводами. Один
из них, соединенный с p- областью называется анодом, другой,
соединенный с n- областью, – катодом. Диод проводит электри-
ческий ток только в одном направлении, поэтому он находит
применение для выпрямления переменного тока в однополярный.
Он представляет из себя нелинейный пассивный элемент, вольт-
амперная характеристика которого аналогична вольт-амперной
PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com
Часть 2. Технические средства автоматики
Глава 7. Элементная база устройств автоматики
7.1. Элементная база автоматики
Рассмотренные выше регуляторы и другие элементы САР
реализуются специальными устройствами на электронных, элек-
тромеханических и иных элементах. В данном разделе рассмат-
ривается электронная элементная база устройств автоматики.
Современные электронные устройства выполняются в основ-
ном на базе полупроводниковых приборов: дискретных элемен-
тов - диодов, транзисторов-микросхем, стабилитронов, тиристо-
ров и т.д. и в интегральном исполнении.
Основой большинства полупроводниковых приборов являет-
ся электронно-дырочный р - n переход, возникающий на границе
раздела двух полупроводников с разными типами электропро-
водности. Вольт - амперная характеристика р -n перехода пред-
ставлена на рис.7.1.
Рисунок 7.1 – Вольт - амперная
характеристика р -n перехода.
P-n переходы изготавли-
ваются из кремния, герма-
ния с добавками различных
материалов (индий, галлий,
селен и других), которые
придают им необходимые
свойства.
Полупроводниковым диодом называется прибор с одним
электронно-дырочным p-n переходом и двумя выводами. Один
из них, соединенный с p- областью называется анодом, другой,
соединенный с n- областью, – катодом. Диод проводит электри-
ческий ток только в одном направлении, поэтому он находит
применение для выпрямления переменного тока в однополярный.
Он представляет из себя нелинейный пассивный элемент, вольт-
амперная характеристика которого аналогична вольт-амперной
99
PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 97
- 98
- 99
- 100
- 101
- …
- следующая ›
- последняя »
