Электроника. Электронная лаборатория на IBM PC. Система моделирования Electronics Workbench. Горева Т.И - 26 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

Рис. 3.1 Схема включения транзистора с общей базой (ОБ).
Существуют три способа включения транзистора: с общей
базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором
(ОК). О способе включения с общей базой говорилось при рас-
смотрении принципа действия транзистора. Различие в спо-
собах включения зависит оттого, какой из выводов транзистора
является общим для входной и выходной цепей. В схеме ОБ
общей точкой входной и выходной цепей является база, в схе-
ме ОЭ — эмиттер, в схеме ОК — коллектор.
В силу того, что статические характеристики транзистора в
схемах ОЭ или ОК примерно одинаковы, далее рассматрива-
ются характеристики только для двух способов включения: ОБ
и ОЭ.
Схема с ОБ (рис.3.1). Выходные характеристики транзисто-
ра в схеме ОБ отражают зависимость тока коллектора I
к
от на-
пряжения на коллекторе относительно базы U
кб
при фиксиро-
ванном токе эмиттера I
э
=I
k
=F(U
кб
)I
э
=const (рис.3.2.) Здесь, рас-
сматривается транзистор типа р-n-р, поэтому напряжение U
кб
отрицательное.
Вольт-амперные характеристики имеют три характерные
области: I — сильная зависимость Iк от U
кб
(нелинейная на-
чальная область),
// — слабая зависимость I
н
от U
кб
(линейная область), /// —
пробой коллекторного перехода.
Для схемы ОБ характерно расположение начальной области
Iлевее оси ординат. Это обусловлено тем, что напряжение на
коллекторном переходе транзистора в схеме ОБ определяется
суммой внутренней разности потенциалов <р
0
и внешнего на-
пряжения U
кб
.
26
Рис. 3.1 Схема включения транзистора с общей базой (ОБ).

Существуют три способа включения транзистора: с общей
базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором
(ОК). О способе включения с общей базой говорилось при рас-
смотрении принципа действия транзистора. Различие в спо-
собах включения зависит оттого, какой из выводов транзистора
является общим для входной и выходной цепей. В схеме ОБ
общей точкой входной и выходной цепей является база, в схе-
ме ОЭ — эмиттер, в схеме ОК — коллектор.
    В силу того, что статические характеристики транзистора в
схемах ОЭ или ОК примерно одинаковы, далее рассматрива-
ются характеристики только для двух способов включения: ОБ
и ОЭ.
   Схема с ОБ (рис.3.1). Выходные характеристики транзисто-
ра в схеме ОБ отражают зависимость тока коллектора Iк от на-
пряжения на коллекторе относительно базы Uкб при фиксиро-
ванном токе эмиттера Iэ=Ik=F(Uкб)Iэ=const (рис.3.2.) Здесь, рас-
сматривается транзистор типа р-n-р, поэтому напряжение Uкб
отрицательное.
   Вольт-амперные характеристики имеют три характерные
области: I — сильная зависимость Iк от Uкб (нелинейная на-
чальная область),
// — слабая зависимость Iн от Uкб (линейная область), /// —
пробой коллекторного перехода.
Для схемы ОБ характерно расположение начальной области
Iлевее оси ординат. Это обусловлено тем, что напряжение на
коллекторном переходе транзистора в схеме ОБ определяется
суммой внутренней разности потенциалов <р0 и внешнего на-
пряжения Uкб.

26

Страницы