Электроника. Электронная лаборатория на IBM PC. Система моделирования Electronics Workbench. Горева Т.И - 28 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

Некоторое возрастание тока I
к
на выходных характеристиках
при повышении напряжения U
кб
вследствие увеличения коэф-
фициента а за счет эффекта модуляции базы (рис. 3.2) характе-
ризуется дифференциальным сопротивлением коллекторного
перехода r
к(б)=
dU
кб
/dI
к
I
э
=const, которое может быть найдено
из коллекторных характеристик как отношение приращений
напряжения и тока. Для маломощных транзисторов величина
r
к(б)
составляет 0,5—1 МОм.
При I
э
= 0 зависимость I
к
= F(U
кб
) представляет собой обрат-
ную ветвь вольт-амперной характеристики коллекторного p-n-
перехода. Обратный ток коллекторного перехода определяет
составляющую /
К0
в коллекторном токе транзистора.
В области // выходные характеристики практически линей-
ны и сопротивление r
к(б)
можно принять неизменным. Тогда
для этой области зависимость I
к
= F(U
кб
) можно представить в
аналитической форме:
I
к
= αI
э
+U
кб
/rк
(б
)+I
к0
(1)
Наличие составляющей I
К0
в выражении (1) является одной
из главных причин температурной зависимости выходных
(коллекторных) характеристик транзистора. Влияние темпера-
туры приводит к изменению тока I
К0
и смещению характери-
стик вверх при повышении температуры (пунктирные кривые
на рис. 3.2) и вниз при ее снижении. Такое же воз-действие на
коллекторные характеристики (в меньшей степени) оказывает
и зависимость от температуры коэффициента α Это обу-
словлено тем, что в рабочем диапазоне температур наблюдает-
ся некоторое увеличение коэффициента α с ростом температу-
ры.
28
Коллекторные характеристики можно считать эквиди-
стантными в небольшой области изменения тока I
э
. При этом
равным приращениям тока I
э
соответствуют примерно равные
приращения тока I
к
(рис. 3.2). В большом диапазоне измене-
ния эмиттерного тока характеристики нельзя считать эквиди-
стантными в силу их более густого расположения при малых
и больших токах I
э
и более редкого — при промежуточных
значениях. Увеличение коэффициента α и достижение им
максимального значения с возрастанием эмиттерного тока
объясняется относительным уменьшением числа актов ре-
комбинаций дырок в базе с ростом количества входящих в 
   Некоторое возрастание тока Iк на выходных характеристиках
при повышении напряжения Uкб вследствие увеличения коэф-
фициента а за счет эффекта модуляции базы (рис. 3.2) характе-
ризуется дифференциальным сопротивлением коллекторного
перехода rк(б)=dUкб/dIк Iэ=const, которое может быть найдено
из коллекторных характеристик как отношение приращений
напряжения и тока. Для маломощных транзисторов величина
rк(б) составляет 0,5—1 МОм.
     При Iэ = 0 зависимость Iк = F(Uкб) представляет собой обрат-
ную ветвь вольт-амперной характеристики коллекторного p-n-
перехода. Обратный ток коллекторного перехода определяет
составляющую /К0 в коллекторном токе транзистора.
     В области // выходные характеристики практически линей-
ны и сопротивление rк(б) можно принять неизменным. Тогда
для этой области зависимость Iк = F(Uкб) можно представить в
аналитической форме:
                      Iк= αIэ+Uкб/rк(б)+Iк0 (1)
      Наличие составляющей IК0 в выражении (1) является одной
из главных причин температурной зависимости выходных
(коллекторных) характеристик транзистора. Влияние темпера-
туры приводит к изменению тока IК0 и смещению характери-
стик вверх при повышении температуры (пунктирные кривые
на рис. 3.2) и вниз при ее снижении. Такое же воз-действие на
коллекторные характеристики (в меньшей степени) оказывает
и зависимость от температуры коэффициента α Это обу-
словлено тем, что в рабочем диапазоне температур наблюдает-
ся некоторое увеличение коэффициента α с ростом температу-
ры.
       Коллекторные характеристики можно считать эквиди-
 стантными в небольшой области изменения тока Iэ. При этом
 равным приращениям тока Iэ соответствуют примерно равные
 приращения тока Iк (рис. 3.2). В большом диапазоне измене-
 ния эмиттерного тока характеристики нельзя считать эквиди-
 стантными в силу их более густого расположения при малых
 и больших токах Iэ и более редкого — при промежуточных
 значениях. Увеличение коэффициента α и достижение им
 максимального значения с возрастанием эмиттерного тока
 объясняется относительным уменьшением числа актов ре-
 комбинаций дырок в базе с ростом количества входящих в
28

Страницы