Электроника. Электронная лаборатория на IBM PC. Система моделирования Electronics Workbench. Горева Т.И - 27 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

Рис. 3.2 Выходные характеристики транзистора, включённого
по схеме с ОБ.
При U
кб
= 0 и заданном токе эмиттера дырки перебрасыва-
ются в коллектор из базы под действием внутренней разности
потенциалов ф
0
; при U
кб
= 0 ток I
к
≠ 0. Чтобы уменьшить ток I
к
,
нужно создать встречный поток дырок через переход, т. е. пе-
ревести коллекторный переход путём изменения полярности
напряжения U
кб
режим инжекции носителей заряда (в режим
эмиттера). При подаче некоторого напряжения положительной
полярности U
кб
(на рис. 3.2 откладывается влево от точки 0)
потоки дырок через коллекторный переход будут взаимно
скомпенсированы и ток I
э
=0. Естественно, что с увеличением
тока I
э
для этого необходимо подать напряжение U
кб
большей
величины. Этим объясняется смещение влево начальных уча-
стков характеристик при большем токе I
э.
Особенностью характеристик в области // является их не-
большой подъем при увеличении напряжения U
кб.
Некоторое увеличение тока I
к
обусловливается увеличением
коэффициента передачи тока а транзистора вследствие возни-
кающего эффекта модуляции толщины базового слоя (эффекта
модуляции базы), а также роста тока I
к0=
F(U
кб
)
Эффект модуляции базы связан с расширением коллектор-
ного перехода L
к
за счет увеличения объемного заряда в нем,
вызванного повышением напряжения U
кб
. Поскольку расшире-
ние перехода происходит главным образом за счет базового
слоя, как более высокоомного, повышение напряжения U
кб
приводит к уменьшению толщины базового слоя L
б
, а следова-
тельно, к уменьшению числа актов рекомбинаций дырок с.
электронами в ней, увеличению коэффициента а и тока I
к
.
27
Рис. 3.2 Выходные характеристики транзистора, включённого
по схеме с ОБ.
   При Uкб = 0 и заданном токе эмиттера дырки перебрасыва-
ются в коллектор из базы под действием внутренней разности
потенциалов ф0; при Uкб = 0 ток Iк ≠ 0. Чтобы уменьшить ток Iк,
нужно создать встречный поток дырок через переход, т. е. пе-
ревести коллекторный переход путём изменения полярности
напряжения Uкб режим инжекции носителей заряда (в режим
эмиттера). При подаче некоторого напряжения положительной
полярности Uкб (на рис. 3.2 откладывается влево от точки 0)
потоки дырок через коллекторный переход будут взаимно
скомпенсированы и ток Iэ=0. Естественно, что с увеличением
тока Iэ для этого необходимо подать напряжение Uкб большей
величины. Этим объясняется смещение влево начальных уча-
стков характеристик при большем токе Iэ.
   Особенностью характеристик в области // является их не-
большой подъем при увеличении напряжения Uкб.
Некоторое увеличение тока Iк обусловливается увеличением
коэффициента передачи тока а транзистора вследствие возни-
кающего эффекта модуляции толщины базового слоя (эффекта
модуляции базы), а также роста тока Iк0= F(Uкб)
  Эффект модуляции базы связан с расширением коллектор-
ного перехода Lк за счет увеличения объемного заряда в нем,
вызванного повышением напряжения Uкб. Поскольку расшире-
ние перехода происходит главным образом за счет базового
слоя, как более высокоомного, повышение напряжения Uкб
приводит к уменьшению толщины базового слоя Lб, а следова-
тельно, к уменьшению числа актов рекомбинаций дырок с.
электронами в ней, увеличению коэффициента а и тока Iк.
                                                            27

Страницы