Электроника. Электронная лаборатория на IBM PC. Система моделирования Electronics Workbench. Горева Т.И - 29 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

нее дырок. Для маломощных транзисторов максимуму коэф-
фициента α соответствует ток эмиттера, равный 0,8—3 мА.
Рис. 3.3 Входные характеристики транзистора, включённого по
схеме с общей базой.
Для транзистора существует предел повышения коллек-
торного напряжения ввиду возможного электрического пробоя
коллекторного перехода (область /// на рис.3.2), который может
перейти в тепловой пробой. Величина допустимого напряже-
ния U
кб
указывается в справочниках.
Входные характеристики транзистора в схеме ОБ (рис. 3.3)
представляют собой зависимость I
э
= F(U
эб
)U
кб
=const и по виду
близки к прямой ветви вольт-амперной характеристики р-n
перехода (диода).
Входная характеристика, снятая при большем напряжении U
кб
,
располагается левее и выше. Это обусловливается эффектом
модуляции базы, приводящим к повышению градиента кон-
центрации дырок в базе и увеличению тока I
э
.
Схема с ОЭ. В схеме с ОЭ вывод эмиттера является общим
для входной и выходной цепей транзистора. Напряжения пи-
тания U
бэ
,U
кэ
подаются соответственно между базой и эмитте-
ром, а также между коллектором и эмиттером транзистора. Без
учета падения напряжения в базовом слое напряжение U
бэ
оп-
ределяет напряжение на эмиттерном переходе. Напряжение на
коллектор-ном переходе находят как разность Uкэ-U
бэ
.
29
нее дырок. Для маломощных транзисторов максимуму коэф-
фициента α соответствует ток эмиттера, равный 0,8—3 мА.




Рис. 3.3 Входные характеристики транзистора, включённого по
схеме с общей базой.

Для транзистора существует предел повышения коллек-
торного напряжения ввиду возможного электрического пробоя
коллекторного перехода (область /// на рис.3.2), который может
перейти в тепловой пробой. Величина допустимого напряже-
ния Uкб указывается в справочниках.
  Входные характеристики транзистора в схеме ОБ (рис. 3.3)
представляют собой зависимость Iэ = F(Uэб)Uкб=const и по виду
близки к прямой ветви вольт-амперной характеристики р-n
перехода (диода).
Входная характеристика, снятая при большем напряжении Uкб,
располагается левее и выше. Это обусловливается эффектом
модуляции базы, приводящим к повышению градиента кон-
центрации дырок в базе и увеличению тока Iэ.
Схема с ОЭ. В схеме с ОЭ вывод эмиттера является общим
для входной и выходной цепей транзистора. Напряжения пи-
тания Uбэ,Uкэ подаются соответственно между базой и эмитте-
ром, а также между коллектором и эмиттером транзистора. Без
учета падения напряжения в базовом слое напряжение Uбэ оп-
ределяет напряжение на эмиттерном переходе. Напряжение на
коллектор-ном переходе находят как разность Uкэ-Uбэ.

                                                           29

Страницы