Электроника. Электронная лаборатория на IBM PC. Система моделирования Electronics Workbench. Горева Т.И - 31 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

сти, определяется более широкое практическое применение
этой схемы включения по сравнению со схемой с ОБ.
Выражение (2) можно переписать в виде:
I
к
=βI
б
+U
кэ
/r
к(б
)+I
к0(э)
, (3)
где г
к(э)
= г
к(б)
/(1 + β), /
к0(э)
= (1 + β)/
к0
.
Так же как и в схеме ОБ, коллекторные характеристики имеют
некоторый наклон к оси абсцисс (рис.3.2.), вызванный эффек-
том модуляции базы. Однако этот наклон в схеме ОЭ больше,
чем в схеме ОБ, так как малые изменения коэффициента а под
действием изменения напряжения на коллекторном переходе
дают значительные изменения коэффициента β = α/(1 — α).
Указанное явление учитывается вторым слагаемым в правой
части уравнения (3.). Дифференциальное сопротивление г
К
(
Э
)
коллекторного перехода в схеме с ОЭ в (1 +β) раз меньше
дифференциального сопротивления г
к
(б) в схеме с ОБ и со-
ставляет 30—40 кОм.
Из принципа действия транзистора известно, что через вывод
базы протекают во встречном направлении две составляющие
тока (см. рис.3.1.): обратный ток коллекторного перехода I
к
„ и
часть тока эмиттера (1 — α)/
э
- В связи с этим нулевое значение
тока базы (/
б
= 0) определяется равенством указанных состав-
ляющих токов, т. е. (1 — α)I
э
. Нулевому входному току соот-
ветствуют ток эмиттера I
э
=I
к0
/(1 — α) = (1 + β)I
КО
и ток кол-
лектора I
к
=αI
э
+I
к0
=αI
к0
/(1-α)+I
к0
=(1+β)I
к0
.Иными словами, при
нулевом токе базы через транзистор в схеме с ОЭ протекает
ток, называемый начальным или сквозным током I
к0
(
Э
) и рав-
ный (1 + β) I
к0
. Этим обусловливается наличие третьей состав-
ляющей тока I
к
в выражениях (2) и (3). Таким образом, ток кол-
лектора при входном токе, равном нулю, в схеме с ОЭ в
(1 + β) раз больше, чем в схеме с ОБ.
Если же эмиттерный переход перевести в непроводящее со-
стояние, т. е. подать напряжение U
бэ
≥ 0, то ток коллектора сни-
зится до I
ko
(рис.3.4.) и будет определяться обратным (тепло-
вым) током коллекторного перехода, протекающим по цепи
база — коллектор. Область характеристик, лежащая ниже ха-
рактеристики, соответствующей I
б
= 0, называют областью от-
сечки.
31
сти, определяется более широкое практическое применение
этой схемы включения по сравнению со схемой с ОБ.
  Выражение (2) можно переписать в виде:
                     Iк=βIб+Uкэ/rк(б)+Iк0(э) , (3)
где гк(э) = гк(б)/(1 + β), /к0(э)= (1 + β)/к0.
Так же как и в схеме ОБ, коллекторные характеристики имеют
некоторый наклон к оси абсцисс (рис.3.2.), вызванный эффек-
том модуляции базы. Однако этот наклон в схеме ОЭ больше,
чем в схеме ОБ, так как малые изменения коэффициента а под
действием изменения напряжения на коллекторном переходе
дают значительные изменения коэффициента β = α/(1 — α).
Указанное явление учитывается вторым слагаемым в правой
части уравнения (3.). Дифференциальное сопротивление гК(Э)
коллекторного перехода в схеме с ОЭ в (1 +β) раз меньше
дифференциального сопротивления гк(б) в схеме с ОБ и со-
ставляет 30—40 кОм.
Из принципа действия транзистора известно, что через вывод
базы протекают во встречном направлении две составляющие
тока (см. рис.3.1.): обратный ток коллекторного перехода Iк„ и
часть тока эмиттера (1 — α)/э- В связи с этим нулевое значение
тока базы (/б = 0) определяется равенством указанных состав-
ляющих токов, т. е. (1 — α)Iэ. Нулевому входному току соот-
ветствуют ток эмиттера Iэ =Iк0/(1 — α) = (1 + β)IКО и ток кол-
лектора Iк=αIэ+Iк0=αIк0/(1-α)+Iк0=(1+β)Iк0.Иными словами, при
нулевом токе базы через транзистор в схеме с ОЭ протекает
ток, называемый начальным или сквозным током Iк0(Э) и рав-
ный (1 + β) Iк0. Этим обусловливается наличие третьей состав-
ляющей тока Iк в выражениях (2) и (3). Таким образом, ток кол-
лектора при входном токе, равном нулю, в схеме с ОЭ в
 (1 + β) раз больше, чем в схеме с ОБ.
  Если же эмиттерный переход перевести в непроводящее со-
стояние, т. е. подать напряжение Uбэ≥ 0, то ток коллектора сни-
зится до Iko (рис.3.4.) и будет определяться обратным (тепло-
вым) током коллекторного перехода, протекающим по цепи
база — коллектор. Область характеристик, лежащая ниже ха-
рактеристики, соответствующей Iб = 0, называют областью от-
сечки.


                                                            31

Страницы