Электроника. Электронная лаборатория на IBM PC. Система моделирования Electronics Workbench. Горева Т.И - 32 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

а) б)
Рис.3.4. Выходные (а) и входные (б) характеристики транзи-
стора, включенного по схеме с ОЭ.
Коллекторные характеристики в схеме ОЭ, так же как и в схе-
ме ОБ, подвержены температурным смещениям. Однако тем-
пературные воздействия здесь проявляются сильнее, чем в
схеме ОБ. Это обусловлено, во-первых, наличием множителя
(1+β) перед I
К0
в формуле (2) и, во-вторых, более сильными
температурными изменениями коэффициента β= α/(1 — α) при
относительно малых температурных изменениях коэффициен-
та α.
Более резко здесь выражена и неэквидистантность характе-
ристик, так как зависимость коэффициента а от тока эмиттера
(коллектора) сильно сказывается на зависимости коэффициен-
та β от тока I
э
(I
к
). Необходимо указать и на тот факт, что в схе-
ме с ОЭ пробой коллекторного перехода наступает при коллек-
торном напряжении в 1,5—2 раза меньшем, чем в схеме с ОБ.
Входные (базовые) характеристики транзистора отражают за-
висимость тока базы от напряжения база — эмиттер при фик-
сированном напряжении коллектор — эмиттер:
I
б
=F(U
бэ
)U
кэ
=const.
При U
кэ
=0 входная характеристика соответствует прямой
ветви вольт-амперной характеристики двух р-n-переходов
(эмиттерного и коллекторного), включенных параллельно.
32
                       а)                     б)

Рис.3.4. Выходные (а) и входные (б) характеристики транзи-
стора, включенного по схеме с ОЭ.

Коллекторные характеристики в схеме ОЭ, так же как и в схе-
ме ОБ, подвержены температурным смещениям. Однако тем-
пературные воздействия здесь проявляются сильнее, чем в
схеме ОБ. Это обусловлено, во-первых, наличием множителя
(1+β) перед IК0 в формуле (2) и, во-вторых, более сильными
температурными изменениями коэффициента β= α/(1 — α) при
относительно малых температурных изменениях коэффициен-
та α.
  Более резко здесь выражена и неэквидистантность характе-
ристик, так как зависимость коэффициента а от тока эмиттера
(коллектора) сильно сказывается на зависимости коэффициен-
та β от тока Iэ(Iк). Необходимо указать и на тот факт, что в схе-
ме с ОЭ пробой коллекторного перехода наступает при коллек-
торном напряжении в 1,5—2 раза меньшем, чем в схеме с ОБ.
Входные (базовые) характеристики транзистора отражают за-
висимость тока базы от напряжения база — эмиттер при фик-
сированном напряжении коллектор — эмиттер:
                        Iб=F(Uбэ)Uкэ=const.
  При Uкэ=0 входная характеристика соответствует прямой
ветви вольт-амперной характеристики двух р-n-переходов
(эмиттерного и коллекторного), включенных параллельно.


32

Страницы