Составители:
Рубрика:
Выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ оп-
ределяют зависимость коллекторного тока I
к
=F(U
кэ
) при
I
б
= сonst. Как и для схемы ОБ, здесь можно выделить три ха-
рактерные области: / — начальная область, // — относительно
слабая зависимость I
К
от U
кэ
, /// — пробой коллекторного пе-
рехода.
Коллекторные характеристики транзистора в схеме с ОЭ отли-
чаются от соответствующих характеристик в схеме ОБ. В ча-
стности, они начинаются из начала координат и участок / рас-
полагается в первом квадранте. При U
кэ
= 0 напряжение на
коллекторном переходе равно U
бэ
, коллекторный переход от-
крыт и инжектирует дырки в базу. Потоки дырок через коллек-
торный переход (от кол-лектора в базу и от эмиттера в коллек-
тор) взаимно уравновешиваются и ток L
к
≈
0 . По мере повы-
шения напряжения U
кэ
в области I прямое напряжение на кол-
лекторном переходе снижается, его инжекция уменьшается, и
ток I
к
возрастает. На границе с областью II прямое напряжение
снимается с коллекторного перехода и в области // на переходе
действует обратное напряжение. Точке перехода от области / к
области / / соответствует напряжение U
кэ
порядка 0,5—1,5 В.
Отличие характеристик для схемы ОЭ в области // покажем,
выразив в (1) ток I
э
через I
б
и ток I
к
в соответствии с формулой:
I
э
= I
к
+I
б
После замены U
кб
на U
кэ
получаем коллекторные ха-
рактеристики транзистора в схеме ОЭ, записанные в аналити-
ческой форме:
I
к
=
a
a
−1
I
б
+
)1)(( aбrк
Uкк
−
+
a−1
1
I
к0
=βI
б
+
)1/()( bбrк
Uкк
+
+(1+β)*I
к0
, (2)
где β=I
к
/I
б
=α/(1-α)— к о эф ф и ц и е н т пере д а ч и т ок а в
схеме ОЭ.
Коэффициент β показывает связь тока коллектора с входным
током I
б
. Если для транзисторов коэффициент а = 0,9-0,99, то
коэффициент β = 9-99. Иными словами, транзистор в схеме с
ОЭ дает усиление по току. Это является важнейшим преиму-
ществом включения транзистора по схеме с ОЭ, чем, в частно-
30
Выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ оп-
ределяют зависимость коллекторного тока Iк=F(Uкэ) при
Iб= сonst. Как и для схемы ОБ, здесь можно выделить три ха-
рактерные области: / — начальная область, // — относительно
слабая зависимость IК от Uкэ, /// — пробой коллекторного пе-
рехода.
Коллекторные характеристики транзистора в схеме с ОЭ отли-
чаются от соответствующих характеристик в схеме ОБ. В ча-
стности, они начинаются из начала координат и участок / рас-
полагается в первом квадранте. При Uкэ = 0 напряжение на
коллекторном переходе равно Uбэ, коллекторный переход от-
крыт и инжектирует дырки в базу. Потоки дырок через коллек-
торный переход (от кол-лектора в базу и от эмиттера в коллек-
тор) взаимно уравновешиваются и ток Lк ≈ 0 . По мере повы-
шения напряжения Uкэ в области I прямое напряжение на кол-
лекторном переходе снижается, его инжекция уменьшается, и
ток Iк возрастает. На границе с областью II прямое напряжение
снимается с коллекторного перехода и в области // на переходе
действует обратное напряжение. Точке перехода от области / к
области / / соответствует напряжение Uкэ порядка 0,5—1,5 В.
Отличие характеристик для схемы ОЭ в области // покажем,
выразив в (1) ток Iэ через Iб и ток Iк в соответствии с формулой:
Iэ= Iк+Iб После замены Uкб на Uкэ получаем коллекторные ха-
рактеристики транзистора в схеме ОЭ, записанные в аналити-
ческой форме:
a Uкк 1
Iк= Iб+ + Iк0=βIб+
1− a rк (б )(1 − a ) 1 − a
Uкк
+(1+β)*Iк0, (2)
rк (б ) /(1 + b)
где β=Iк/Iб=α/(1-α)— к о эф ф и ц и е н т пере д а ч и т ок а в
схеме ОЭ.
Коэффициент β показывает связь тока коллектора с входным
током Iб. Если для транзисторов коэффициент а = 0,9-0,99, то
коэффициент β = 9-99. Иными словами, транзистор в схеме с
ОЭ дает усиление по току. Это является важнейшим преиму-
ществом включения транзистора по схеме с ОЭ, чем, в частно-
30
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 28
- 29
- 30
- 31
- 32
- …
- следующая ›
- последняя »
