Составители:
Рубрика:
114
t < τ
p
V
G
< 0
t < τ
p
V
G
< 0
t = 0
V
G
< 0V
G
= 0
hν
прозрачный
металл
полупро-
во
дник
диэлектрик
а) исходное состояние
в) регистрация фотона г) хранение информационного
заряда
б) неравнове
сное
обеднение
Рис. 5.29. Зонная диаграмма, иллюстрирующая работу МДП-структуры в качестве
фотоприемного устройства
Через время t, равное времени релаксации неравновесной емкости ô
p
,
вследствие термогенерации «яма» для неосновных носителей заполнится.
МДП-структура придет в равновесное состояние и утратит способность
регистрировать кванты света. Поэтому необходимо привести МДП-структуру
сначала в исходное состояние, а затем снова в состояние неравновесного
обеднения. Следовательно, МДП ФПУ будет находиться в рабочем состоянии,
если тактовая частота импульсов напряжения V
G
будет больше, чем обратное
время релаксации неравновесной емкости МДП-структуры.
(
Неравновесное обеднение
Рассмотрим МДП-структуру, находящуюся в равновесных условиях при
некотором значении напряжения на затворе V
G0
. Подадим на затвор дополни-
тельно импульс напряжения V
и
(V
G
=V
и
+V
G0
), выводящий систему из термоди-
намического равновесия. Часть напряжения V
G
упадет на диэлектрике (V
ox
),
часть на области пространственного заряда (ОПЗ) МДП-структуры (V
опз
=J
s
)
(рис. ).
прозрачный полупро-
металл диэлектрик водник
VG = 0 VG < 0
t=0
а) исходное состояние б) неравновесное
обеднение
VG < 0 VG < 0
t < τp hν t < τp
в) регистрация фотона г) хранение информационного
заряда
Рис. 5.29. Зонная диаграмма, иллюстрирующая работу МДП-структуры в качестве
фотоприемного устройства
Через время t, равное времени релаксации неравновесной емкости ôp,
вследствие термогенерации «яма» для неосновных носителей заполнится.
МДП-структура придет в равновесное состояние и утратит способность
регистрировать кванты света. Поэтому необходимо привести МДП-структуру
сначала в исходное состояние, а затем снова в состояние неравновесного
обеднения. Следовательно, МДП ФПУ будет находиться в рабочем состоянии,
если тактовая частота импульсов напряжения VG будет больше, чем обратное
время релаксации неравновесной емкости МДП-структуры.
(
Неравновесное обеднение
Рассмотрим МДП-структуру, находящуюся в равновесных условиях при
некотором значении напряжения на затворе VG0. Подадим на затвор дополни-
тельно импульс напряжения Vи(VG=Vи+VG0), выводящий систему из термоди-
намического равновесия. Часть напряжения VG упадет на диэлектрике (Vox),
часть на области пространственного заряда (ОПЗ) МДП-структуры (Vопз=Js)
(рис. ).
114
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 112
- 113
- 114
- 115
- 116
- …
- следующая ›
- последняя »
