Оптоэлектроника и волоконная оптика. Гуртов В.А. - 115 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПетрГУ | Петрозаводск

Составители: 

Рубрика: 

115
Рис. Зонная диаграмма МДП-структуры при неравновесном обеднении
МДП-структура в момент времени t=0 перейдет в неравновесное состоя-
ние и будет характеризоваться значениями поверхностного потенциала J
s
, ши-
рины W, заряда Q
sc
, емкости C
sc
ОПЗ, отличными от равновесных значений.
При этом емкость всей МДП-структуры C
мдп
меньше C
min
, определяемой из
равновесной высокочастотной вольфарадной характеристики (ВВФХ), и будет
расти во времени, рис. .
Вследствие генерационно-рекомбинационных процессов, по мере форми-
рования инверсионного канала и перераспределения напряжения между диэ
-
лектриком и полупроводником, МДП-структура будет переходить от неравно-
весного к равновесному состоянию. При этом время релаксации неравновес-
ного обеднения τ
рел
также будет зависеть от начального и конечного состояния
ОПЗ (обеднение или инверсия).
Рис. Зонная диаграмма МДП-структуры при неравновесном обеднении

    МДП-структура в момент времени t=0 перейдет в неравновесное состоя-
ние и будет характеризоваться значениями поверхностного потенциала Js, ши-
рины W, заряда Qsc, емкости Csc ОПЗ, отличными от равновесных значений.
При этом емкость всей МДП-структуры Cмдп меньше Cmin, определяемой из
равновесной высокочастотной вольфарадной характеристики (ВВФХ), и будет
расти во времени, рис. .
    Вследствие генерационно-рекомбинационных процессов, по мере форми-
рования инверсионного канала и перераспределения напряжения между диэ-
лектриком и полупроводником, МДП-структура будет переходить от неравно-
весного к равновесному состоянию. При этом время релаксации неравновес-
ного обеднения τ рел также будет зависеть от начального и конечного состояния
ОПЗ (обеднение или инверсия).




                                       115

Страницы