Оптоэлектроника и волоконная оптика. Гуртов В.А. - 117 стр.

Рида (через объемные локальные центры в ОПЗ, находящие-
ся в запрещенной зоне полупроводника). Второе - генерации
через ПС периферии затвора, третье - генерации через ПС
под электродом затвора, четвертое - подтеканию носителей из
ОПЗ вне затвора, пятое - планарному диффузионному подте-
канию из ОПЗ вне затвора.
   )

5.6.4. Матрицы фотоприемников с зарядовой связью (ФПЗС)
    Новым типом полевых полупроводниковых приборов, работающих в
динамическом режиме, являются приборы с зарядовой связью (ПЗС). На
рисунке 5.30 приведена схема, поясняющая устройство и основные физические
принципы работы ПЗС. Приборы с зарядовой связью представляют собой
линейку или матрицу последовательно расположенных МДП-структур.
Величина зазора между соседними МДП-структурами невелика и составляет
1-2 мкм. ПЗС-элементы служат для преобразования оптического излучения
в электрические сигналы, и передачи информации от одного элемента
электронной схемы к другому. На рисунке 5.30 показан принцип работы
трехтактного прибора с зарядовой связью. [8, 68]




                                     117