Оптоэлектроника и волоконная оптика. Гуртов В.А. - 116 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПетрГУ | Петрозаводск

Составители: 

Рубрика: 

116
Рис. Равновесная (1) и неравновесная (2) ВВФХ
При релаксации неравновесного обеднения на поверхности полупровод-
ника происходит заполнение потенциальной ямы неосновными носителями
заряда до равновесного значения. Выражение для генерационного тока будет:
(1)
где n
i
- концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике, n
s
,
Г
s
- поверхностная концентрация и избыток неосновных носителей заряда; P/A
- отношение периметра к площади МДП структуры; n
po
, D
n
, L
n
- концентрация,
коэффициент диффузии, диффузионная длина неосновных носителей;
γ
n
- вероятность захвата;
N
ts
- плотность ПС;
Г
n
- избыток неосновных носителей в инверсионном слое на поверхности
вне затвора;
τ
g
- время жизни неосновных носителей;
W- ширина ОПЗ.
Здесь первое слагаемое соответствует генерации Шокли-
Рис. Равновесная (1) и неравновесная (2) ВВФХ

    При релаксации неравновесного обеднения на поверхности полупровод-
ника происходит заполнение потенциальной ямы неосновными носителями
заряда до равновесного значения. Выражение для генерационного тока будет:




                                                                     (1)
     где ni - концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике, ns,
Гs - поверхностная концентрация и избыток неосновных носителей заряда; P/A
- отношение периметра к площади МДП структуры; npo, Dn, Ln - концентрация,
коэффициент диффузии, диффузионная длина неосновных носителей;
     γ n - вероятность захвата;
     Nts - плотность ПС;
     Гn - избыток неосновных носителей в инверсионном слое на поверхности
вне затвора;
     τ g - время жизни неосновных носителей;
     W- ширина ОПЗ.
    Здесь первое слагаемое соответствует генерации Шокли-

                                     116

Страницы