Сборник задач по микрооптоэлектронике. Гуртов В.А - 14 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПетрГУ | Петрозаводск

Составители: 

Рубрика: 

14
Справочные таблицы
Физические параметры важнейших полупроводников
Параметр
Обозна-
чение
Si Ge GaAs InSb
300 К
1,12 0,66 1,43 0,18
Ширина запре-
щенной зоны, эВ
0 К
E
g
1,21 0,80 1,56 0,23
электронов
µ
n
1500 3900 8500 78000
Подвижность при
300 К, см
2
·В
-1
·с
-1
дырок
µ
p
600 1900 400 5000
электронов m
dn
*
1,08 0,56 0,068 0,013 Эффективная мас-
са
дырок m
dp
*
0,56 0,35 0,45 0,6
Эффективная плотность состоя-
ний в зоне проводимости, см
-3
N
C
2,8·10
19
1,04·10
19
4,7·10
17
3,7·10
16
Эффективная плотность состоя-
ний в валентной зоне, см
-3
N
V
1,02·10
19
6,11·10
18
7,0·10
18
1,16·10
19
Диэлектрическая постоянная ε
s
11,9 16,0 10,9 17,0
Электронное сродство χ 4,05 4,00 4,07 4,60
Собственная концентрация
носителей, см
-3
n
i
1,6·10
10
2,5·10
13
1,1·10
7
2,0·10
16
Время жизни носителей, с τ 2,5·10
-3
1,0·10
-3
1·10
-8
1·10
-8
Дебаевская длина, мкм L
d
24 0,68 2250
Показатель преломления n 3,44 4,0 3,4 3,75
Температурный коэффициент α 2,4·10
-4
3,9·10
-4
4,3·10
-4
2,8·10
-4
Работа выхода из металлов (эВ)
Mg Al Ni Cu Ag Au Pt
3,4 4,1 4,5 4,4 4,3 4,7 5,3
Свойства диэлектриков
E
g
, эВ ε
ст
ε
∞
ρ, г
-1
·см
-3
E
пр
, В/см
SiO
2
9,0 3,82 2,13 2,33 1,2·10
7
Si
3
N
4
5,1 6,5 4,2 3,11 6,0·10
6
Ta
2
O
5
4,5 27 5,0 8,53 6,0·10
6
Справочные таблицы

Физические параметры важнейших полупроводников
                                        Обозна-
             Параметр                                           Si             Ge         GaAs           InSb
                                         чение
 Ширина запре-           300 К
                                                               1,12            0,66           1,43       0,18
 щенной зоны, эВ                              Eg
                         0К                                    1,21            0,80           1,56       0,23
 Подвижность при         электронов           µn               1500            3900           8500       78000
 300 К, см2·В-1·с-1      дырок                µp               600             1900           400        5000
                                                   *
 Эффективная мас-      электронов         mdn                  1,08            0,56       0,068          0,013
 са                    дырок              mdp*                 0,56            0,35       0,45            0,6
 Эффективная плотность состоя-
                                              NC             2,8·1019      1,04·1019     4,7·1017       3,7·1016
 ний в зоне проводимости, см-3
 Эффективная плотность состоя-
                                          NV                 1,02·1019     6,11·1018     7,0·1018      1,16·1019
 ний в валентной зоне, см-3
 Диэлектрическая постоянная                   εs               11,9            16,0           10,9       17,0
 Электронное сродство                         χ                4,05            4,00           4,07       4,60
 Собственная концентрация
                                              ni             1,6·1010      2,5·1013       1,1·107       2,0·1016
 носителей, см-3
 Время жизни носителей, с                     τ              2,5·10-3      1,0·10-3       1·10-8         1·10-8
 Дебаевская длина, мкм                        Ld                24           0,68         2250
 Показатель преломления                       n                3,44           4,0          3,4            3,75
 Температурный коэффициент                    α              2,4·10-4      3,9·10-4      4,3·10-4       2,8·10-4




Работа выхода из металлов (эВ)
     Mg            Al            Ni                    Cu                Ag             Au               Pt
     3,4           4,1           4,5                   4,4               4,3            4,7              5,3




Свойства диэлектриков
                      Eg, эВ            εст                     ε∞              ρ, г-1·см-3          Eпр, В/см
     SiO2              9,0             3,82                    2,13                2,33               1,2·107
     Si3N4             5,1             6,5                     4,2                 3,11               6,0·106
     Ta2O5             4,5              27                     5,0                 8,53               6,0·106




14

Страницы