ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
66
Диэлектрическая проницаемость определяется по известной емкости С
0
пустого
измерительного конденсатора:
0
С
С
=
ε
. (3.10)
При измерении диэлектрических потерь с подключенным измерительным
конденсатором достигается резонанс, и эталонную емкость изменяют до тех пор, пока
значение тока в контуре не уменьшится до значения
21
относительно его значения
при резонансе. Тогда измерение емкости определяется выражением:
)CС(С
22
2
1
′
−
′′
=
Δ
, (3.11)
где С
2
" и С
2
' — емкости эталонного конденсатора при резонансе и при расстройке от
резонанса.
Диэлектрические потери вычисляются по следующей формуле:
1
21
A
AA
C
C
tg
−
⋅=
Δ
δ
, (3.12)
где А
1
и А
2
— показания индикаторного прибора при резонансе с измерительным
конденсатором и без него.
При этой схеме можно использовать другой вариант расчета.
Когда измерительный конденсатор с жидкостью подключен к цепи
эталонного конденсатора, резонанс достигается изменением емкости эталонного
конденсатора и при этом ток в контуре имеет максимальное значение. При резонансе
фиксируется значение частоты f
r
и тока I
r
.
Затем эталонная емкость изменяется до тех пор, пока значение тока не
уменьшается в
21
раз и фиксируются значения частоты как с левой, так и с
правой стороны от резонансной кривой. Разность этих частот и есть ширина
резонансной кривой Δf.
Добротность контура определяется отношением:
f
f
Q
r
Δ
= . (3.13)
Добротность контура связана с tgδ соотношением:
δε
ε
tg"
'
Q
1
== . (3.14)
Погрешность вышеописанного метода составляет 1% для ε' и 20—25 % для tgδ .
Подробное описание метода, анализ ошибок и техника эксперимента приведены в
работах [191, 192, 193, 194, 195].
Диэлектрическая проницаемость определяется по известной емкости С0 пустого
измерительного конденсатора:
С
ε= . (3.10)
С0
При измерении диэлектрических потерь с подключенным измерительным
конденсатором достигается резонанс, и эталонную емкость изменяют до тех пор, пока
значение тока в контуре не уменьшится до значения 1 2 относительно его значения
при резонансе. Тогда измерение емкости определяется выражением:
1
ΔС = ( С 2′′ − C 2′ ) , (3.11)
2
где С2" и С2' — емкости эталонного конденсатора при резонансе и при расстройке от
резонанса.
Диэлектрические потери вычисляются по следующей формуле:
ΔC A1 − A2
tgδ = ⋅ , (3.12)
C A1
где А1 и А2 — показания индикаторного прибора при резонансе с измерительным
конденсатором и без него.
При этой схеме можно использовать другой вариант расчета.
Когда измерительный конденсатор с жидкостью подключен к цепи
эталонного конденсатора, резонанс достигается изменением емкости эталонного
конденсатора и при этом ток в контуре имеет максимальное значение. При резонансе
фиксируется значение частоты fr и тока Ir.
Затем эталонная емкость изменяется до тех пор, пока значение тока не
уменьшается в 1 2 раз и фиксируются значения частоты как с левой, так и с
правой стороны от резонансной кривой. Разность этих частот и есть ширина
резонансной кривой Δf.
Добротность контура определяется отношением:
fr
Q= . (3.13)
Δf
Добротность контура связана с tgδ соотношением:
ε' 1
Q= = . (3.14)
ε" tgδ
Погрешность вышеописанного метода составляет 1% для ε' и 20—25 % для tgδ .
Подробное описание метода, анализ ошибок и техника эксперимента приведены в
работах [191, 192, 193, 194, 195].
66
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 64
- 65
- 66
- 67
- 68
- …
- следующая ›
- последняя »
