Спецпрактикум по сверхвысоким частотам. Гусев Ю.А. - 58 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КФУ | Казань

Составители: 

Рубрика: 

(20)
Последние два члена ≈ 0. Разделяя действительную и мнимую части,
получим
d
d
tg
d
ЗК
В
В
..
1
)(2
2
∆
+≈
+
∆
=
′
λ
π
π
λ
µ
(21)
Если учесть, что
µ′ = 1+ 4πχ′ , то
d
ЗК
π
χ
4
..
∆
=
′
Для мнимой части
χπ
π
λ
µ
′′
≈=
′′
4
2
..ЗК
В
dr
(22)
Нетрудно видеть, что если выделить
ε, то эта величина аналогично будет
выражаться через Z
XX
и при сделанных допущениях приведет к тем же самым
выражениям, что и для
µ, т.е.
d
ОТ .
1
∆
+=
′
ε
(23)
.
2
ОТ
В
dr
π
λ
ε
=
′′
Физический смысл размещения образца в разных сечениях линии состоит в
том, что в первый раз он помещается в пучность магнитного поля, а в другой раз -
в пучность электрического поля (рис.2).
Рис.2.
Силовые линии электромагнитного поля внутри волновода
При достаточно тонком образце, находящемся около короткого замыкания,
где Н
волна = max и Е = min = 0, можно пренебречь влиянием электрического поля
и считать, что изменения в прошедшей волне вызваны только магнитными
свойствами, и наоборот. То есть необходимо выполнение условия d << λ
В
.
                                              (20)

    Последние два члена ≈ 0. Разделяя действительную и мнимую части,
получим
                              λВ    2π (∆ + d )      ∆
                      µ′ =       tg             ≈ 1 + К .З .            (21)
                             2πd        λВ             d

    Если учесть, что µ′ = 1+ 4πχ′ , то

                                                     ∆ К .З .
                                           χ′ =
                                                     4π d
    Для мнимой части

                                         λВ
                             µ ′′ =                ≈ 4πχ ′′      (22)
                                      2πdrК .З .

    Нетрудно видеть, что если выделить ε, то эта величина аналогично будет
выражаться через ZXX и при сделанных допущениях приведет к тем же самым
выражениям, что и для µ, т.е.
                                          ∆
                                 ε ′ = 1 + ОТ .
                                            d
                                                      (23)
                                                      λВ
                                         ε ′′ =
                                                   2 π dr ОТ .

     Физический смысл размещения образца в разных сечениях линии состоит в
том, что в первый раз он помещается в пучность магнитного поля, а в другой раз -
в пучность электрического поля (рис.2).




                                    Рис.2.
             Силовые линии электромагнитного поля внутри волновода

     При достаточно тонком образце, находящемся около короткого замыкания,
где Нволна = max и Е = min = 0, можно пренебречь влиянием электрического поля
и считать, что изменения в прошедшей волне вызваны только магнитными
свойствами, и наоборот. То есть необходимо выполнение условия d << λВ.

Страницы