Составители:
Рубрика:
динамическую проводимость диэлектрической пленки, что и приводит к росту
проводимости [4].
1V. Экспериментальная часть
1. Снять зависимость эквивалентных последовательных емкости и
сопротивления конденсаторной структуры Та-Тa
2
O
5
- электролит, оформленной
в виде электролитического конденсатора в металлическом корпусе, от частоты
переменного тока.
2. Снять зависимость тока, протекающего через конденсаторную
структуру Та–Та
2
О
5
–электролит, от приложенного к ней напряжения (образец
№ 1).
3. Провести измерения зависимости тока от напряжения для
конденсаторной структуры Та–Та
2
О
5
–MnO
2
, оформленной в виде оксидно-
полупроводникового конденсатора (образец № 2).
4. Снять зависимость тока, протекающего через конденсаторную
систему Та–Та
2
О
5
–электролит (образец №1), от температуры.
V. Обработка результатов измерений
Произвести расчет эквивалентного последовательного сопротивления и
емкости конденсатора на разных частотах по формулам:
r= R/2 [(V
1
/V
2
)
2
– (V
3
/V
2
)
2
- 1] ;
22
2
3
2
)(2
1
r
V
V
Rf −
=
π
С
,
где R - сопротивление резистора, установленного на данной частоте;
f - частота переменного тока.
Рассчитать тангенс угла диэлектрических потерь на различных частотах
по формуле tgδ = 2π·f·r·С
10
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »
