Составители:
Рубрика:
локализация обусловлена поляронным эффектом), прыжки являются
термически активированными и σ (Т) так же описывается активационным
законом, но с отличной от зонной проводимости энергией активации. В области
низких температур, когда энергия решетки становится недостаточна для
термической активации прыжков, последние осуществляются в узком энер-
гетическом интервале вблизи уровня Ферми (переход 3 на рис.2), причем
энергия активации электропроводности с понижением температуры падает.
Возможен промежуточный вариант процесса электронного переноса,
когда носители заряда, двигаясь по разрешенной зоне, многократно
захватываются на ловушки вблизи края зоны (переходы 4 на рис.2). Однако и в
этом случае зависимость σ (T) имеет активационный характер [4].
Суммируя сказанное, температурную зависимость электропроводности
аморфного диэлектрика в общем случае можно представить как сумму трех
составляющих:
σ (T) = σ
1
+ σ
2
+σ
3
= A·exp (- E
1
/kT) + B·exp (- E
2
/kT) + C·exp (- E
3
/kT),
где
σ
1
- зонная проводимость;
σ
2
- прыжковая проводимость;
σ
3
- проводимость при многократных захватах на ловушки;
Е
1
- разность энергий между краем разрешенной зоны и уровнем Ферми;
Е
2
- энергетическая разность локализованных состояний, между
которыми осуществляется прыжок;
Е
3
- глубина залегания ловушек, на которые происходит захват носителей
заряда из разрешенной зоны.
В каждом конкретном случае (для данного материала, заданных
внешних условий) доминирует какой-либо один из указанных механизмов.
Учитывая, что аморфные диэлектрические пленки обладают широкой
запрещенной зоной, можно ожидать, что прыжковая электропроводность в них
будет наблюдаться в широком диапазоне температур.
8
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »
