Физические основы микроэлектроники. Часть 1. Ханин С.Д - 7 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис.2. Электронные переходы в некристаллическом диэлектрике

Таким образом, в аморфных диэлектрических пленках в общем случае

возможны два следующих механизма электронной проводимости (рис.2).

1.Электропроводность, обусловленная свободными

(делокализованными) носителями в разрешенных зонах (переходы I на рис.2).

Аналогично проводимости кристаллов температурная зависимость σ (Т)

подчиняется при этом активационному закону:

σ (Т) = А

· exp(- (E

–E

))/k·T,

где Е

- энергетический уровень дна зоны проводимости;

- уровень Ферми;

k - постоянная Больцмана;

A - постоянная величина.

2. Электропроводность, обусловленная перескоками носителей заряда

между локализованными состояниями (прыжковая электропроводность –

переходы 2 на рис.2). В случае если локализованные состояния, между

которыми осуществляются перескоки, обладают различной энергией (или