Составители:
Рубрика:
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № I
ЯВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО ПЕРЕНОСА В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
ПЛЕНКАХ И КОНДЕНСАТОРНЫХ СТРУКТУРАХ НА ИХ ОСНОВЕ
1. Цель работы
Изучение электронных процессов в аморфных диэлектрических пленках,
определяющих их функциональные свойства в конденсаторных структурах.
П. Содержание работы
1. Определение электрической проводимости оксидных диэлектрических
пленок на поверхности металла в зависимости от напряжения постоянного тока
(вольт-амперной характеристики конденсаторной структуры).
2. Определение зависимости электрической проводимости оксидных
пленок от температуры.
3. Определение зависимости электрической проводимости оксидных
пленок на переменном токе от частоты.
4. Сравнительный анализ электрических свойств оксидных
конденсаторных структур с различными материалами противоэлектрода.
Ш. Основные теоретические положения
Используемые в электронной технике диэлектрические пленки (оксида,
нитрида, оксинитрида кремния, оксидов Al, Та, Nb, W, V и др.) обладают, как
правило, двумя важными особенностями: некристаллической структурой с
сохранением в атомном строении ближнего порядка, подобного кристаллам
данного вещества и наличием на фоне структуры "идеального стекла" с
полностью насыщенными валентными связями дефектов: собственных
(оборванные связи, дефекты нестехиометрии, локальные флуктуации атомной
плотности) и примесных (водород, щелочные металлы и т.д.). Эти особенности
проявляются в энергетическом спектре электронных состояний, в зонной
5
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- …
- следующая ›
- последняя »
