Составители:
Рубрика:
модели которого, в отличие от зонной модели кристаллов с резкими границами
валентной зоны и зоны проводимости, в запрещенной зоне появляются хвосты
плотности электронных состояний (края разрешенных зон размываются) как
следствие некристалличности структуры и максимумы плотности электронных
состояний, обусловленные структурными дефектами (рис.1)[1, 2].
При этом электронные состояния, находящиеся в запрещенной зоне,
являются локализованными, то есть движение по ним возможно лишь посред-
ством перескоков электронов с одного состояния на другое, причем
подвижность носителей заряда при этом мала (< 10 см
2
/В·с).
Рис. 1. Схематическое изображение плотности электронных состояний N(Е) и
электронные переходы между локализованными состояниями в неупорядоченном
диэлектрике при сравнительно высоких (1) и низких (2) температурах: Е
м
-
энергетический уровень максимума плотности состояний; Е
F
- уровень Ферми
Следует отметить, что кроме структурной разупорядоченности, причиной
локализации носителей заряда может быть поляронный эффект - поляризация
электроном проводимости окружающей его решетки, приводящая к
образованию потенциальной ямы.
6
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- …
- следующая ›
- последняя »
