Радиоматериалы и радиокомпоненты. Ханин С.Д - 21 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

• отношение полного тока, протекающего через полупроводник, к
току, обусловленному электронной составляющей, а также к току,
обусловленному дырочной составляющей, в примесном
полупроводнике n- или p-типа с удельным сопротивлением ρ.
У к а з а н и я:
1. Исходные данные для конкретных вариантов задачи 3 приведены в
табл.5 и 6.
2. При решении задачи целесообразно
пользоваться [1] - гл.4 (разделы
4.1 и 4.2) и [8] - гл.3.
Таблица 5
Предпоследняя цифра шифра
1 и 9 2 и 8 3 и 7 4 и 6 5 0
Полупроводниковый
материал
n-Si p-Si n-Ge p-Ge n-GaAs p-GaAs
µ
n
, м
2
/(В
.
с)
0,14 0,39 0,95
µ
p
, м
2
/(В
.
с)
0,05 0,19 0,045
n
i
, м
-3
1,0
.
10
16
2,5
.
10
19
6,6
.
10
12
Таблица 6
Полупроводниковый материал
n-Si p-Si n-Ge p-Ge n-GaAs p-GaAs
Последняя
цифра шифра
Удельное сопротивление ρ, Ом
.
м
1 5,0
.
10
-1
1,0
.
10
0
1,0
.
10
-1
3,0
.
10
-1
1,0
.
10
-1
1,0
.
10
0
2 1,0
.
10
-1
3,0
.
10
-1
2,0
.
10
-2
7,0
.
10
-2
2,0
.
10
-2
5,0
.
10
-1
3 4,5
.
10
-2
1,5
.
10
-1
1,5
.
10
-2
4,0
.
10
-2
1,0
.
10
-2
2,5
.
10
-1
4 6,0
.
10
-3
2,0
.
10
-2
2,0
.
10
-3
4,0
.
10
-3
3,0
.
10
-3
2,0
.
10
-2
5 9,0
.
10
-4
3,0
.
10
-3
4,0
.
10
-4
6,0
.
10
-4
4,0
.
10
-5
6,0
.
10
-4
6 3,5
.
10
-4
1,0
.
10
-3
1,0
.
10
-4
2,0
.
10
-4
2,0
.
10
-5
3,0
.
10
-4
7 2,0
.
10
-4
6,0
.
10
-4
7,0
.
10
-5
1,0
.
10
-4
4,0
.
10
-6
8,0
.
10
-5
8 6,0
.
10
-5
1,0
.
10
-4
2,0
.
10
-5
3,0
.
10
-5
2,0
.
10
-6
4,0
.
10
-5
9 8,0
.
10
-6
2,0
.
10
-5
3,0
.
10
-6
5,0
.
10
-6
1,0
.
10
-6
2,0
.
10
-5
0 3,0
.
10
-6
1,0
.
10
-6
7,0
.
10
-7
1,0
.
10
-6
9,0
.
10
-7
4,0
.
10
-6
ЗАДАЧА 4
В полупроводниковом кристалле с собственной концентрацией
носителей заряда n
i
, подвижностью электронов µ
n
и подвижностью дырок µ
p

Страницы