Составители:
Рубрика:
сформирован p-n переход. При этом удельная электропроводность p-области
составила γ
1
, а удельная электропроводность n-области - γ
2
.
Определить:
• контактную разность потенциалов в p-n переходе при температуре
Т= 300 К;
• плотность обратного тока насыщения в сформированной диодной
структуре, если диффузионная длина электронов равна L
n
, а
диффузионная длина дырок - L
p
.
• отношение дырочной составляющей обратного тока насыщения к
электронной;
• значение прямого напряжения, при котором плотность тока через p-n
переход достигает значения j.
У к а за н и я:
1. Исходные данные для конкретных вариантов задачи 4 приведены в
табл.7 и 8.
2. При решении задачи целесообразно пользоваться [6] - Введение
(раздел В.1), гл.1 (
раздел 1.3),
3. Плотность обратного тока насыщения определять из формулы для
плотности тока насыщения в диоде с толстой базой.
4. Коэффициенты диффузии D для электронов и дырок следует
находить из соотношения Эйнштейна: D/µ = kT/e,
где µ
- подвижность носителей заряда;
k - постоянная Больцмана;
Т - температура, К;
е - заряд электрона.
5. Напряжение, при котором плотность прямого тока через p-n переход
достигает заданного значения, определять с использованием уравнения
вольт-амперной характеристики диода в области малых токов.
