Составители:
Рубрика:
Таблица 7
Предпоследняя цифра шифра
1, 2 и 3 4, 5 и 6 7 и 8 9 и 0
Материал p-n перехода Si Ge GaAs InSb
Параметры материала
µ
n
, м
2
/(В
.
с)
0,14 0,39 0,95 7,8
µ
p
, м
2
/(В
.
с)
0,05 0,19 0,045 0,075
n
i
, м
-3
1,0
.
10
16
2,5
.
10
19
6,6
.
10
12
2,0
.
10
22
L
n
, м 5,0
.
10
-4
1,0
.
10
-3
8,0
.
10
-3
1,0
.
10
-2
L
p
, м 4,0
.
10
-3
9,0
.
10
-4
3,6
.
10
-3
5,0
.
10
-3
Таблица 8
Последняя цифра шифра
γ
1
, Ом
-1
см
-1
γ
2
, Ом
-1
см
-1
j, A/м
2
1 1,0
.
10
0
1,0
.
10
2
1
.
10
3
2 2,0
.
10
1
1,0
.
10
3
5
.
10
3
3 4,8
.
10
1
2,0
.
10
3
1
.
10
4
4 1,0
.
10
2
1,0
.
10
4
3
.
10
4
5 3,0
.
10
3
6,0
.
10
5
7
.
10
3
6 5,0
.
10
4
3,0
.
10
1
4
.
10
4
7 3,0
.
10
5
7,0
.
10
2
6
.
10
4
8 2,0
.
10
2
5,0
.
10
0
3
.
10
3
9 2,0
.
10
3
4,0
.
10
6
1
.
10
5
0 8,0
.
10
5
1,0
.
10
5
9
.
10
4
ЗАДАЧА 5
Определить максимальное напряжение, которое можно приложить при
температурах Т
1
и Т
2
к миниатюрному резистору сопротивлением R
ном
± ∆R,
работающему на частоте f = 50 Гц, если допустимая мощность рассеяния
