Составители:
Рубрика:
53
Четвертым шагом является нахождение значений элементов схе
мы реального Ф (ФНЧ, ППФ и др.) исходя из найденных значений g
i
для Фпрототипа. Расчет производится по следующим формулам:
н
пнп
;.
ii
ii
Rg g
LС
R
==
ωω
(8)
Последним шагом синтеза микроволнового Ф является его конст
руктивная разработка. Реализация последовательных индуктивно
стей и параллельных емкостей возможна на основе элементов с со
средоточенными параметрами (L
i
, C
i
), либо на основе отрезков линий
передачи, которые являются элементами с распределенными пара
метрами.
Элементы с сосредоточенными параметрами представляют собой
навесные либо конструктивные конденсаторы и катушки индуктив
ности. Их размеры должны быть значительно меньше длины электро
магнитной волны, а сопутствующие паразитные параметры возможно
меньшей величины. Такие элементы могут работать в достаточно ши
рокой полосе частот, однако их применение ограничено дециметро
вым диапазоном волн; на более коротких волнах используются эле
менты, выполненные на основе отрезков линий передачи.
Для примера на рис. 4 изображена топология ФНЧ, выполненно
го на элементах из отрезков микрополосковой линии (МПЛ) с разны
ми волновыми сопротивлениями и малыми геометрическими разме
рами относительно длины волны. Такие элементы называют «полу
сосредоточенными».
Отметим, что волновое сопротивление отрезка МПЛ обычно не
превышает 120…140 Ом и ограничивается технологически реализуе
мой минимальной шириной полоскового проводника (50…100 мкм).
Минимальное сопротивление волнового сопротивления МПЛ состав
Рис. 4. Топология 7!элементного ФНЧ, выполненного на основе МПЛ
W
C
W
W
L
l
Z
0
Z
0C
< Z
0
Z
0
Z
0L
> Z
0
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 51
- 52
- 53
- 54
- 55
- …
- следующая ›
- последняя »
