Исследование характеристик фотодиодов и фототранзисторов. - 3 стр.

UptoLike

3
Световыми характеристиками диода в фотогальваническом режиме
являются зависимости тока короткого замыкания от светового потока
I
КЗ
=f(Ф) и напряжения холостого хода от светового потока U
ХХ
=
f(Ф), показанные на рисунке 2. Нелинейность I
К3
= f(Ф) при увеличении
Ф объясняется ростом падения напряжения на объемном сопротивлении
базы фотодиода, а нелинейность U
ХХ
= f(Ф) - уменьшением по-
тенциального барьера при росте Ф. Точка пересечения ВАХ фотодиода
и нагрузочного резистора определяет электрическую мощность Р
Н
=I
Н*
U
Н
, выделяемую в нагрузку.
Параметром семейства ВАХ является световой поток Ф. При Ф
0
=0
ВАХ фотодиода не отличается от ВАХ обычного полупроводникового дио-
да. При Ф>0 на ВАХ фотодиода можно выделить две области, соот-
ветствующие разным режимам работы фотодиода:
III квадрант - фотодиодный режим;
IV квадрант- - фотогальванический режим.
Рисунок 1. Семейство вольтамперных характеристик
освещенного фотодиода.
     Световыми характеристиками диода в фотогальваническом режиме
являются зависимости тока короткого замыкания от светового потока
I КЗ =f(Ф) и напряжения холостого хода от светового потока UХХ =
f(Ф), показанные на рисунке 2. Нелинейность I К3 = f(Ф) при увеличении
Ф объясняется ростом падения напряжения на объемном сопротивлении
базы фотодиода, а нелинейность UХХ = f(Ф) - уменьшением по-
тенциального барьера при росте Ф. Точка пересечения ВАХ фотодиода
и нагрузочного резистора определяет электрическую мощность РН
=IН*UН, выделяемую в нагрузку.
     Параметром семейства ВАХ является световой поток Ф. При Ф0=0
ВАХ фотодиода не отличается от ВАХ обычного полупроводникового дио-
да. При Ф>0 на ВАХ фотодиода можно выделить две области, соот-
ветствующие разным режимам работы фотодиода:
     III квадрант - фотодиодный режим;
     IV квадрант- - фотогальванический режим.




          Рисунок 1. Семейство вольтамперных характеристик
                       освещенного фотодиода.



                                  3